[發明專利]振蕩器和包括該振蕩器的存儲器裝置

有效

• 申請號: 201410844624.1
• 申請日: 2014-12-30
• 公開（公告）號: CN105261388B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 李瑩旭;金勝燦
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 謝順星;張晶

1.一種振蕩器，其包括：

比較裝置，其適于通過將內節點的內電壓與參考電壓進行比較生成比較信號；

反相單元，其適于將所述比較信號反相并且將反相的比較信號傳送至輸出節點；

上拉驅動單元，其適于響應于所述輸出節點的電壓上拉驅動所述內節點；

放電單元，其適于使所述內節點放電；

傳輸門，其連接在所述內節點和所述放電單元之間，并且響應于所述輸出節點的所述電壓接通/斷開，

其中包括在所述振蕩器中的電容性負載的至少部分電連接至所述內節點，所述傳輸門包括以并聯形式電連接的NMOS晶體管和PMOS晶體管；以及

連接單元，電連接在所述放電單元和接地電壓之間，并且響應于所述輸出節點的電壓操作。

2.根據權利要求1所述的振蕩器，其中所述反相單元包括奇數個串聯連接的反相器。

3.根據權利要求1所述的振蕩器，其中所述放電單元包括一個或更多個串聯連接的NMOS晶體管，并且其中每個所述NMOS晶體管均用作二極管。

4.根據權利要求1所述的振蕩器，其中所述上拉驅動單元和所述傳輸門響應于所述輸出節點的所述電壓被交替地啟用。

5.根據權利要求1所述的振蕩器，其中所述放電單元的放電速度隨著其溫度下降而減慢，并且隨著溫度升高而加快。

6.一種振蕩器，其包括：

比較裝置，其適于通過將內節點的內電壓與參考電壓進行比較生成比較信號；

反相單元，其適于將所述比較信號反相并且將反相的比較信號傳送至輸出節點；

上拉驅動單元，其適于響應于所述輸出節點的電壓上拉驅動所述內節點；

選擇單元，其適于響應于選擇信息和所述輸出節點的所述電壓生成控制信號；

多個放電單元，適于使所述內節點放電；

多個傳輸門，其連接在所述內節點和在所述多個放電單元中的相應放電單元之間，并且響應于所述控制信號接通/斷開，其中所述多個傳輸門中的每一個包括以并聯形式電連接的NMOS晶體管和PMOS晶體管；以及

多個連接單元，電連接在所述多個放電單元中的相應放電單元和接地電壓之間，所述多個連接單元響應于所述控制信號操作；

其中所述振蕩器中的電容性負載的至少部分電連接至所述內節點。

7.根據權利要求6所述的振蕩器，其中所述反相單元包括奇數個串聯連接的反相器。

8.根據權利要求6所述的振蕩器，其中每個所述放電單元均包括一個或更多個串聯連接的NMOS晶體管，并且其中每個所述NMOS晶體管均用作二極管。

9.一種存儲器裝置，其包括：

單元陣列，其包括多個存儲器單元；

第一信號生成單元，其適于生成具有固定周期的第一信號；

第二信號生成單元，其適于生成具有可變周期的第二信號；和

控制單元，其適于在自刷新模式下，根據所述固定周期和可變周期之中較短的一個刷新所述存儲器單元，

其中所述第二信號生成單元包括：

多個放電單元，其適于使內節點放電；

多個傳輸門，其連接在所述內節點和所述多個放電單元中的相應放電單元之間，并且響應于控制信號接通/斷開，所述多個傳輸門中的每一個均包括以并聯形式電連接的NMOS晶體管和PMOS晶體管；

多個連接單元，電連接在所述多個放電單元中的相應放電單元和接地電壓之間，所述多個連接單元響應于所述控制信號操作；

其中所述可變周期對應于由所述多個放電單元使所述內節點放電的速度，并且

其中所述第二信號生成單元中的電容性負載的至少部分電連接至所述內節點。

10.根據權利要求9所述的存儲器裝置，其中所述多個放電單元中的每一個的放電速度隨著其溫度下降而減慢，并且隨著所述溫度升高而加快，并且

其中所述第二信號的所述周期隨著溫度下降變得更長，并且隨著溫度升高變得更短。