[發明專利]一種有垂直通孔的埋入式傳感芯片封裝結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201410843211.1
• 申請日: 2014-12-30
• 公開（公告）號: CN104485320A
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發明（設計）人: 龐誠;于大全
• 申請（專利權）人: 華天科技（西安）有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/498;H01L23/49;H01L21/60;G06K9/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種有垂直通孔的埋入式傳感芯片封裝結構，其特征在于，所述結構包括傳感芯片（1）、傳感芯片焊盤（2）、傳感器件結構部分（3）、介質（4）、導電線路（5）、填充導電材料的通孔（6）、焊球（7）；所述傳感芯片（1）可以是指紋識別芯片或其他傳感芯片，所述傳感芯片焊盤（2）位于傳感芯片（1）頂面，傳感器件結構部分（3）與傳感芯片焊盤（2）位于同一表面，傳感芯片（1）側面覆蓋有介質（4），介質（4）內部存在填充導電材料的通孔（6），所述的填充導電材料的通孔（6）與位于介質（4）表面的導電線路（5）和位于介質（4）背面的焊球（7）相連。

2.根據權利要求1所述的一種有垂直通孔的埋入式傳感芯片封裝結構，其特征在于，所述介質（4）是環氧樹脂等塑封材料或者聚酰亞胺等聚合物介質材料，也可以是其它介質材料。

3.根據權利要求1所述的一種有垂直通孔的埋入式傳感芯片封裝結構，其特征在于，所述傳感芯片（1）上的位于傳感器件結構部分（3）上的感應區域可以裸露或者其上覆蓋有介質（4）。

4.根據權利要求1所述的一種有垂直通孔的埋入式傳感芯片封裝結構，其特征在于，所述填充導電材料的通孔（6）直徑一般為5微米到100微米。

5.根據權利要求1所述的一種有垂直通孔的埋入式傳感芯片封裝結構，其特征在于，所述導電線路（5）和焊球（7）是鋁、銅、金、鈦、鎳等金屬中的一種或幾種組成或是其它導電材料。

6.根據權利要求1所述的一種有垂直通孔的埋入式傳感芯片封裝結構，其特征在于，所述導電線路（5）可以嵌入到所述介質（4）層內，也可以位于所述介質（4）層表面。

7.根據權利要求1所述的一種有垂直通孔的埋入式傳感芯片封裝結構，其特征在于，所述填充導電材料的通孔（6）內部填充鋁、銅、金、鈦、鎳等金屬中的一種或幾種組成或是其它導電材料。

8.一種有垂直通孔的埋入式傳感芯片封裝結構的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟一：在承載硅圓片（10）表面貼膠膜（11）或涂覆聚合物粘結層材料；

步驟二：將已經制作完傳感芯片焊盤（2）和傳感器件結構部分（3）的傳感芯片（1）采用正面向下的方式放置于膠膜（11）上，所述傳感芯片（1）有若干個，傳感芯片（1）之間有一定距離；

步驟三：介質（4）覆蓋在傳感芯片（1）上，并整平介質（4）；

步驟四：將覆蓋傳感芯片（1）的介質（4）從承載硅圓片（10）上剝離，清除膠膜（11）；

步驟五：在傳感芯片（1）一側的介質（4）表面形成溝槽，并露出傳感芯片焊盤（2），同時在溝槽另一端形成垂直于介質（4）表面的深孔，溝槽與深孔位于傳感芯片（1）之間；

步驟六：在介質（4）的溝槽與深孔內部填充導電材料，形成導電線路（5）；

步驟七：在介質（4）的背面對介質（4）進行減薄，露出深孔內的導電材料，形成填充導電材料的通孔（6）；

步驟八：在介質（4）的背面，填充導電材料的通孔（6）的末端制作焊球（7）；

步驟九：將所述封裝結構在適當部位切割分離。

9.根據權利要求書8所述的一種有垂直通孔的埋入式傳感芯片封裝結構的制備方法，其特征在于，所述步驟一的承載硅圓片（10）是硅、玻璃或者不銹鋼。

10.根據權利要求書8所述的一種有垂直通孔的埋入式傳感芯片封裝結構的制備方法，其特征在于，所述步驟二傳感芯片（1）間距離大于100微米。

11.根據權利要求書8所述的一種有垂直通孔的埋入式傳感芯片封裝結構的制備方法，其特征在于，所述步驟三采用塑模方法用模塑料介質（4）覆蓋傳感芯片（1）。

12.根據權利要求書8所述的一種有垂直通孔的埋入式傳感芯片封裝結構的制備方法，其特征在于，所述步驟三介質（4）整平方法包括研磨和拋光。

13.根據權利要求書8所述的一種有垂直通孔的埋入式傳感芯片封裝結構的制備方法，其特征在于，所述步驟五采用激光刻蝕或者切割刀切削方法在傳感芯片（1）一側的介質（4）表面形成溝槽。

14.根據權利要求書8所述的一種有垂直通孔的埋入式傳感芯片封裝結構的制備方法，其特征在于，所述步驟五采用激光刻蝕或者機械鉆孔的方法在介質（4）內部形成深孔。