[發明專利]薄膜晶體管及薄膜晶體管的制備方法

有效

• 申請號: 201410843119.5
• 申請日: 2014-12-30
• 公開（公告）號: CN104576754B
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 石龍強;曾志遠;李文輝;蘇智昱;呂曉文
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

基板，所述基板包括第一表面；

依次層疊設置在所述基板的所述第一表面上的緩沖層、第一半導體層、蝕刻阻擋層及第二半導體層，所述緩沖層用于緩沖在制備所述薄膜晶體管的過程中所述基板受到的應力，所述蝕刻阻擋層上設有第一貫孔和第二貫孔，所述蝕刻阻擋層覆蓋所述第一表面未被所述第一半導體層覆蓋的部分；

源極和漏極，所述源極和所述漏極間隔設置在所述第二半導體層上且分別對應所述第二半導體層的兩端設置，所述源極和所述漏極分別通過所述第一貫孔和所述第二貫孔與所述第一半導體層相連；

柵極絕緣層，所述柵極絕緣層層疊設置在所述源極和所述漏極上；及

柵極，所述柵極層疊設置在所述柵極絕緣層上，

所述薄膜晶體管還包括第一導電部和第二導電部，所述第一導電部用于連接所述源極與所述第一半導體層以及連接所述源極與所述第二半導體層，所述第二導電部用于連接所述漏極與所述第一半導體層以及連接所述漏極與所述第二半導體層，所述源極部分接觸所述第二半導體層，

所述第一導電部包括第一凸出部及第一覆蓋部，所述第一凸出部的一端與所述第一覆蓋部相連，所述第一凸出部收容于所述第一貫孔內，以使所述第一凸出部的另一端與所述第一半導體層相連，所述第一覆蓋部設置于所述蝕刻阻擋層上，覆蓋所述第一貫孔，且所述第一覆蓋部與所述源極相連，

所述第二導電部包括第二凸出部及第二覆蓋部，所述第二凸出部的一端與所述第二覆蓋部的一端相連，所述第二凸出部收容于所述第二貫孔內以使所述第二凸出部的另一端與所述第一半導體層相連，所述第二覆蓋部設置于所述蝕刻阻擋層上，覆蓋所述第二貫孔，且所述第二覆蓋部與所述漏極相連。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括第一歐姆接觸層，所述第一歐姆接觸層設置于所述第一貫孔與所述第一半導體層之間。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括第二歐姆接觸層，所述第二歐姆接觸層設置于所述第二貫孔與所述第一半導體層之間。

4.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述薄膜晶體管的制備方法包括：

提供基板，所述基板包括第一表面；

在所述基板的所述第一表面上依次層疊設置緩沖層、第一半導體層、蝕刻阻擋層及第二半導體層，所述緩沖層用于緩沖在制備所述薄膜晶體管的過程中所述基板受到的應力，在所述蝕刻阻擋層上形成第一貫孔和第二貫孔，所述蝕刻阻擋層覆蓋所述第一表面未被所述第一半導體層覆蓋的部分；

形成第一導電部和第二導電部；

在所述第二半導體層上且分別對應所述第二半導體層的兩端形成間隔設置的源極和漏極，所述源極和所述漏極分別通過所述第一貫孔和所述第二貫孔與所述第一半導體層相連；

形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層層疊設置在所述源極和所述漏極上；

形成柵極，所述柵極層疊設置在所述柵極絕緣層上，

所述第一導電部用于連接所述源極與所述第一半導體層以及連接所述源極與所述第二半導體層，所述第二導電部用于連接所述漏極與所述第一半導體層以及連接所述漏極與所述第二半導體層，

所述第一導電部包括第一凸出部及第一覆蓋部，所述第一凸出部的一端與所述第一覆蓋部相連，所述第一凸出部收容于所述第一貫孔內，以使所述第一凸出部的另一端與所述第一半導體層相連，所述第一覆蓋部設置于所述蝕刻阻擋層上，覆蓋所述第一貫孔，且所述第一覆蓋部與所述源極相連，

所述第二導電部包括第二凸出部及第二覆蓋部，所述第二凸出部的一端與所述第二覆蓋部的一端相連，所述第二凸出部收容于所述第二貫孔內以使所述第二凸出部的另一端與所述第一半導體層相連，所述第二覆蓋部設置于所述蝕刻阻擋層上，覆蓋所述第二貫孔，且所述第二覆蓋部與所述漏極相連。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述薄膜晶體管的制備方法還包括：

形成第一歐姆接觸層，所述第一歐姆接觸層設置于所述第一貫孔與所述第一半導體層之間。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述薄膜晶體管的制備方法還包括：

形成第二歐姆接觸層，所述第二歐姆接觸層設置于所述第二貫孔與所述第二半導體層之間。