[發明專利]直照補償型脈沖中子探測裝置及探測系統在審
| 申請號： | 201410841644.3 | 申請日： | 2014-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN104597480A | 公開（公告）日： | 2015-05-06 |
| 發明（設計）人： | 張國光 | 申請（專利權）人： | 中國原子能科學研究院 |
| 主分類號： | G01T3/08 | 分類號： | G01T3/08 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 102413 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 補償 脈沖 中子 探測 裝置 系統 | ||
1.一種直照補償型脈沖中子探測裝置，其包括兩個硅PIN探測器(1、2)、轉換靶(3)以及補償盒(4)，其特征是：兩個所述硅PIN探測器平行設置，所述轉換靶(3)設置在兩個硅PIN探測器之間；兩個硅PIN探測器的一端分別與高壓源(5)連接，兩個硅PIN探測器另一端分別與所述補償盒(4)的輸入端連接。
2.如權利要求1所述的直照補償型脈沖中子探測裝置，其特征是：所述補償盒(4)的輸出端與信號同軸連接器(6)連接。
3.如權利要求2所述的直照補償型脈沖中子探測裝置，其特征是：所述轉換靶(3)采用高密度聚乙烯片。
4.如權利要求1-3任一項所述的直照補償型脈沖中子探測裝置，其特征是：每個所述硅PIN探測器中間設有鋁片。
5.如權利要求4所述的直照補償型脈沖中子探測裝置，其特征是：所述硅PIN探測器采用Φ60平面工藝硅PIN探測器，所述硅PIN探測器厚度為300μm。
6.如權利要求5所述的直照補償型脈沖中子探測裝置，其特征是：所述聚乙烯片的厚度為100μm或200μm。
7.一種探測系統，其特征是：包括多個如權利要求1-6任一項所述的直照補償型脈沖中子探測裝置，多個直照補償型脈沖中子探測裝置采用同軸設置。
8.如權利要求7所述的探測系統，其特征是：相鄰兩個所述直照補償型脈沖中子探測裝置之間通過鋁環(9)隔開。
9.如權利要求8所述的探測系統，其特征是：每塊所述鋁環(9)的前端設有銣鐵硼磁鐵(7)。
10.如權利要求9所述的探測系統，其特征是：在最前端的所述銣鐵硼磁鐵(7)前設有過濾器(8)。
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