[發明專利]異質結太陽能電池及其制造方法

有效

• 申請號: 201410841038.1
• 申請日: 2014-12-30
• 公開（公告）號: CN105810770B
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: 丁兆民;楊伯川;阮信曉
• 申請（專利權）人: 新日光能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/20
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 王芝艷,馮志云

1.一種異質結太陽能電池，包含：

一太陽能電池本體，包含：

一半導體基板，具有相對設置的一第一表面與一第二表面，且所述半導體基板摻雜有一第一半導體；

一第一本征非晶硅半導體層，設置于所述第一表面上；

一第一非晶硅半導體層，設置于所述第一本征非晶硅半導體層上，并摻雜有一第二半導體；

一第二本征非晶硅半導體層，設置于所述第二表面上；以及

一第二非晶硅半導體層，設置于所述第二本征非晶硅半導體層上，并摻雜有一第三半導體；

一第一圖案化透明導電層，形成于所述第一非晶硅半導體層上，并具有多個第一延伸包覆部，所述第一延伸包覆部部分地包覆住所述第一非晶硅半導體層的邊緣；以及

一第二圖案化透明導電層，形成于所述第二非晶硅半導體層上，且所述第二圖案化透明導電層與所述第一圖案化透明導電層之間圍構出多個相互連通的邊緣暴露區，借以使所述第一圖案化透明導電層與所述第二圖案化透明導電層通過所述相互連通的邊緣暴露區互相絕緣；

其中，所述第二圖案化透明導電層具有多個第二延伸包覆部，所述第二延伸包覆部至少包覆住部分所述第二非晶硅半導體層的邊緣，所述第一延伸包覆部與所述第二延伸包覆部交錯地排列。

2.如權利要求1所述的異質結太陽能電池，其中，所述邊緣暴露區的形狀為長方形、正方形、弧形、不規則形、環形或其組合。

3.如權利要求1所述的異質結太陽能電池，其中，所述第一圖案化透明導電層的邊緣與所述第二圖案化透明導電層的邊緣圖案為互補。

4.如權利要求1所述的異質結太陽能電池的制作方法，其中，所述第一半導體為一第一型半導體，所述第二半導體與所述第三半導體其中一個為一第一型半導體，另一個為一第二型半導體。

5.如權利要求4所述的異質結太陽能電池的制作方法，其中，所述第一型半導體為N型半導體，所述第二型半導體為P型半導體。

6.如權利要求4所述的異質結太陽能電池的制作方法，其中，所述第一型半導體為P型半導體，所述第二型半導體為N型半導體。

7.一種異質結太陽能電池的制作方法，包括以下步驟：

(a)制備一半導體基板，所述半導體基板摻雜有一第一半導體；

(b)于所述半導體基板的一第一表面上形成一第一本征非晶硅半導體層；

(c)于所述第一本征非晶硅半導體層上形成一第一非晶硅半導體層，且所述第一非晶硅半導體層摻雜有一第二半導體；

(d)于所述半導體基板的一第二表面上形成一第二本征非晶硅半導體層；

(e)于所述第二本征非晶硅半導體層上形成一第二非晶硅半導體層，其中所述第二非晶硅半導體層摻雜有一第三半導體；

(f)于所述第一非晶硅半導體層的表面形成一第一圖案化透明導電層，且所述第一圖案化透明導電層具有多個包覆所述第一非晶硅半導體層邊緣的第一延伸包覆部；以及

(g)于所述第二非晶硅半導體層上形成一第二圖案化透明導電層，且所述第二圖案化透明導電層與所述第一圖案化透明導電層之間圍構出多個相互連通的邊緣暴露區，借以使所述第一圖案化透明導電層與所述第二圖案化透明導電層通過所述相互連通的邊緣暴露區互相絕緣；

其中，步驟(g)在所述第二非晶硅半導體層的表面形成所述第二圖案化透明導電層時，透過遮罩或半導體基板支架遮擋所述第二非晶硅半導體層的部分表面，進而形成多個第二延伸包覆部，且所述第二延伸包覆部與所述第一延伸包覆部交錯地排列。

8.如權利要求7所述的異質結太陽能電池的制作方法，其中，所述第一圖案化透明導電層與所述第二圖案化透明導電層透過一真空蒸鍍制程、一電弧放電蒸鍍制程、一脈沖激光蒸鍍制程或一濺鍍制程所形成。

9.如權利要求7所述的異質結太陽能電池的制作方法，其中，步驟(f)在所述第一非晶硅半導體層的表面形成所述第一圖案化透明導電層時，透過遮罩或半導體基板支架遮擋住所述第一非晶硅半導體層的部分表面，進而形成所述第一延伸包覆部。

10.如權利要求7所述的異質結太陽能電池的制作方法，其中，所述第一半導體為一第一型半導體，所述第二半導體與所述第三半導體其中一個為一第一型半導體，另一個為一第二型半導體。