[發明專利]一種半導體器件及其制造方法和電子裝置

在審

• 申請號: 201410838229.2
• 申請日: 2014-12-25
• 公開（公告）號: CN105789333A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 戴執中;鄭大燮;王剛寧;楊廣立;劉麗;孫泓
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;趙禮杰

1.一種半導體器件，其特征在于，包括半導體襯底以及位于所 述半導體襯底內的深N阱、位于所述深N阱內的淺溝槽隔離、位于 所述深N阱內且分別位于所述淺溝槽隔離的兩側的P型附加區和N 型陰極區，還包括位于所述深N阱的上方且位于所述淺溝槽隔離的 兩側的陰極引出區和陽極，其中，所述陰極引出區與所述N型陰極 區相接觸，所述陽極與所述深N阱相接觸并與所述P型附加區相接 觸。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體 器件還包括位于所述P型附加區內的P型接觸區，其中所述陽極通過 所述P型接觸區與所述P型附加區相接觸。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體 器件還包括位于所述N型陰極區內的N型接觸區，其中所述陰極引 出區通過所述N型接觸區與所述N型陰極區相接觸。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述陽極的 材料包括金屬或金屬硅化物。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述P型附 加區包括P型漂移區和中壓P阱。

6.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S101：提供半導體襯底，形成位于所述半導體襯底內的深N 阱以及位于所述深N阱內的淺溝槽隔離；

步驟S102：通過離子注入形成位于所述深N阱內且位于所述淺 溝槽隔離的一側的P型附加區；

步驟S103：通過離子注入形成位于所述深N阱內且位于所述淺 溝槽隔離的與所述P型附加區相對的另一側的N型陰極區；

步驟S104：形成位于所述深N阱上方且位于所述淺溝槽隔離的 兩側的陰極引出區和陽極，其中，所述陰極引出區與所述N型陰極 區相接觸，所述陽極與所述深N阱相接觸并與所述P型附加區相接 觸。

7.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于， 在所述步驟S103與所述步驟S104之間還包括步驟S1034：

形成位于所述P型附加區內的P型接觸區，其中所述陽極通過所 述P型接觸區與所述P型附加區相接觸；

和/或，形成位于所述N型陰極區內的N型接觸區，其中所述陰 極引出區通過所述N型接觸區與所述N型陰極區相接觸。

8.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于， 所述步驟S102包括：

步驟S1021：在形成P型漂移區的離子注入工藝中對擬形成P型 附加區的區域進行第一次離子注入；

步驟S1022：在形成中壓P阱的離子注入工藝中對擬形成P型附 加區的區域進行第二次離子注入，其中經過所述第一次離子注入與所 述第二次離子注入形成P型附加區。

9.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于， 在所述步驟S104中，所述陽極的材料包括金屬或金屬硅化物。

10.一種電子裝置，其特征在于，包括半導體器件以及與所述半 導體器件相連接的電子組件，其中所述半導體器件包括半導體襯底以 及位于所述半導體襯底內的深N阱、位于所述深N阱內的淺溝槽隔 離、位于所述深N阱內且分別位于所述淺溝槽隔離的兩側的P型附 加區和N型陰極區，還包括位于所述深N阱的上方且位于所述淺溝 槽隔離的兩側的陰極引出區和陽極，其中，所述陰極引出區與所述N 型陰極區相接觸，所述陽極與所述深N阱相接觸并與所述P型附加 區相接觸。