[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器件及其操作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410838040.3
• 申請日: 2014-12-29
• 公開（公告）號: CN105280216B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李鎣旭;金勝燦
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

1.一種半導(dǎo)體存儲器件，包括：

振蕩信號發(fā)生部，其適于產(chǎn)生以通過預(yù)定的溫度-周期函數(shù)限定的周期振蕩的振蕩信號；

周期控制部，其適于響應(yīng)于刷新特性信息，根據(jù)彼此不同的兩個(gè)或更多個(gè)預(yù)定的溫度-周期函數(shù)的組合來控制所述振蕩信號的周期；以及

存儲器單元陣列，其適于響應(yīng)于所述振蕩信號來執(zhí)行刷新操作，

其中，所述兩個(gè)或者更多個(gè)預(yù)定的溫度-周期函數(shù)的組合具有通過函數(shù)轉(zhuǎn)變點(diǎn)限定的兩個(gè)或更多個(gè)溫度部分，

其中，彼此不同的所述溫度-周期函數(shù)中的每個(gè)與這些溫度部分中的每個(gè)對應(yīng)，以及

其中，所述周期控制部包括與所述溫度-周期函數(shù)對應(yīng)的多個(gè)放電單元，以及這些放電單元中的每個(gè)都包括用于限定相應(yīng)的溫度-周期函數(shù)的斜率的二極管和晶體管。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述刷新特性信息對應(yīng)于存儲器單元的刷新操作的特性。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，

其中，所述振蕩信號發(fā)生部經(jīng)由充電操作和放電操作來產(chǎn)生所述振蕩信號。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，

其中，所述多個(gè)放電單元中的每個(gè)具有預(yù)定的溫度-電流特性，以及

其中，所述周期控制部響應(yīng)于所述刷新特性信息，控制用于兩個(gè)或者更多個(gè)預(yù)定的溫度-周期函數(shù)的組合的所述多個(gè)放電單元的所述預(yù)定的溫度-電流特性。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述周期控制部響應(yīng)于所述刷新特性信息來選擇性地將所述多個(gè)放電單元使能。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述預(yù)定的溫度-周期函數(shù)中的每個(gè)是連續(xù)函數(shù)。

7.一種半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，包括：

控制器，其適于控制多個(gè)半導(dǎo)體存儲器件；以及

多個(gè)半導(dǎo)體存儲器件，所述多個(gè)半導(dǎo)體存儲器件中的每個(gè)響應(yīng)于關(guān)于所述控制器與所述半導(dǎo)體存儲器件之間的設(shè)置關(guān)系的信息來設(shè)定一個(gè)或更多個(gè)函數(shù)轉(zhuǎn)變點(diǎn)，以及根據(jù)參照所述函數(shù)轉(zhuǎn)變點(diǎn)彼此不同的兩個(gè)或更多個(gè)預(yù)定的溫度-周期函數(shù)的組合來設(shè)定刷新操作的周期，

其中，所述溫度-周期函數(shù)的組合具有通過所述函數(shù)轉(zhuǎn)變點(diǎn)限定的兩個(gè)或更多個(gè)溫度部分，

其中，彼此不同的所述溫度-周期函數(shù)中的每個(gè)與這些溫度部分中的每個(gè)對應(yīng)，

其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體存儲器件中的每個(gè)包括：

特性信息發(fā)生部分，其適于響應(yīng)于關(guān)于所述控制器與所述半導(dǎo)體存儲器件之間的設(shè)置關(guān)系的信息來產(chǎn)生刷新特性信息；以及

刷新操作部分，其適于響應(yīng)于所述刷新特性信息來執(zhí)行所述刷新操作，

其中所述刷新操作部分包括與所述溫度-周期函數(shù)對應(yīng)的多個(gè)放電單元，以及這些放電單元中的每個(gè)都包括用于限定對應(yīng)的溫度-周期函數(shù)的斜率的二極管和晶體管。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，

其中，所述控制器和所述多個(gè)半導(dǎo)體存儲器件中的每個(gè)分開設(shè)置，以及

其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體存儲器件的函數(shù)轉(zhuǎn)變點(diǎn)彼此不同。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述刷新操作部分包括：

振蕩信號發(fā)生部，其適于產(chǎn)生以通過預(yù)定的溫度-周期函數(shù)限定的周期振蕩的振蕩信號；

周期控制部，其適于響應(yīng)于所述刷新特性信息，根據(jù)彼此不同的兩個(gè)或更多個(gè)預(yù)定的溫度-周期函數(shù)的組合來控制所述振蕩信號的周期；以及

存儲器單元陣列，其適于響應(yīng)于所述振蕩信號來執(zhí)行所述刷新操作。