[發明專利]一種新型稀疏式雙級矩陣變換器拓撲結構在審
| 申請號: | 201410837675.1 | 申請日: | 2014-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN104601002A | 公開(公告)日: | 2015-05-06 |
| 發明(設計)人: | 雷家興;周波;秦顯慧;卞金梁;石寶平;梁瑩;韓娜 | 申請(專利權)人: | 南京航空航天大學 |
| 主分類號: | H02M5/44 | 分類號: | H02M5/44 |
| 代理公司: | 江蘇圣典律師事務所 32237 | 代理人: | 賀翔 |
| 地址: | 210016 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 稀疏 式雙級 矩陣 變換器 拓撲 結構 | ||
1.一種新型稀疏式雙級矩陣變換器拓撲結構,其特征在于:包括三個雙向開關、整流級和逆變級;
其中整流級包括六個二極管,逆變級包括六個全控型器件,輸入三相交流電壓(uA、uB、uC)分別通過三個雙向開關(S1、S2、S3)接到整流級的三相交流端,整流級的直流母線和逆變級的直流母線相連,輸出三相交流電壓(uU、uV、uW)接到逆變級的三相交流端。
2.根據權利要求1所述的一種新型稀疏式雙級矩陣變換器拓撲結構,其特征在于:
每一個雙向開關均由2個全控型器件共射極構成,每個全控型器件并聯一個反向體二極管。
3.根據權利要求2所述的一種新型稀疏式雙級矩陣變換器拓撲結構,其特征在于:
每個雙向開關的2個全控型器件采用相同的PWM控制信號,開關S1的占空比為d1,開關S2的占空比為d2,開關S3的占空比為d3,它們由下式決定:
其中,|uA|、|uB|、|uC|分別表示三相輸入電壓uA、uB、uC的絕對值,uimax表示|uA|、|uB|、|uC|中的最大值。
4.根據權利要求3所述的一種新型稀疏式雙級矩陣變換器拓撲結構,其特征在于:在每個開關周期內,輸入電壓絕對值等于uimax的那一相的雙向開關恒導通,其余兩相的雙向開關根據各自對應的占空比交替導通。
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