[發明專利]基于半導體激光器陣列的對輸出光進行調制的激光器

在審

• 申請號: 201410837009.8
• 申請日: 2014-12-29
• 公開（公告）號: CN104466672A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 楊盈瑩;林學春;趙亞平;王麗榮;汪楠;牛奔
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01S5/06
• 分類號: H01S5/06;H01S5/10;H01S5/40
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種基于半導體激光器陣列的對輸出光進行調制的激光器，包括：

一半導體激光器陣列；

一耦合透鏡組，該耦合透鏡組位于半導體激光器陣列的輸出光路上；

一調制裝置，該調制裝置位于耦合透鏡組之后，位于半導體激光器陣列的輸出光路上；

一衍射光柵，該衍射光柵位于調制裝置之后，位于半導體激光器陣列的輸出光路上，該衍射光柵與半導體激光器陣列輸出光路成一預定夾角；

一輸出鏡，該輸出鏡位于衍射光柵折射的光路上。

2.根據權利要求1所述的基于半導體激光器陣列的對輸出光進行調制的激光器，其中半導體激光器陣列的輸出波長為100nm-10μm，工作方式為連續波輸出。

3.根據權利要求1所述的基于半導體激光器陣列的對輸出光進行調制的激光器，其中耦合透鏡組包括：依序排列的快軸準直鏡、慢軸準直鏡和聚焦透鏡，該耦合透鏡組對半導體激光器陣列發出的激光進行匯聚，使其聚焦點位于衍射光柵上。

4.根據權利要求1所述的基于半導體激光器陣列的對輸出光進行調制的激光器，其中調制裝置為調Q元件或倍頻元件；該調Q元件為主動調Q元件或被動調Q元件，該調Q元件3的工作方式為電光調Q、聲光調Q、可飽和吸收調Q或機械轉鏡調Q；該倍頻元件作用是對基頻光進行N倍的頻率變換，N為整數，該倍頻元件的材料為磷酸二氫銨、磷酸二氫鉀、磷酸二氘鉀、砷酸二氘銫、砷酸二氫銫、鈮酸鋰、鈮酸鋇鈉、鈮酸鉀或周期性極化鈮酸鋰。

5.根據權利要求4所述的基于半導體激光器陣列的對輸出光進行調制的激光器，其中被動調Q元件是可飽和吸收體或半導體可飽和吸收體鏡。

6.根據權利要求5所述的基于半導體激光器陣列的對輸出光進行調制的激光器，其中可飽和吸收體為Cr⁴+：YAG、Co：Spinel或V：YAG。

7.根據權利要求1所述的基于半導體激光器陣列的對輸出光進行調制的激光器，其中衍射光柵為閃耀光柵，作用是鎖定半導體激光器陣列的輸出光譜，將上述不同角度入射的激光束經光柵衍射后沿同一方向出射。

8.根據權利要求7所述的基于半導體激光器陣列的對輸出光進行調制的激光器，其中衍射光柵是采用透射式光柵或反射式光柵。

9.根據權利要求1所述的基于半導體激光器陣列的對輸出光進行調制的激光器，其中輸出鏡對半導體激光器陣列發出的激光波長具有反射功能，其反射率為0.0001％-99.9999％。

10.根據權利要求2所述的基于半導體激光器陣列的對輸出光進行調制的激光器，其中半導體激光器陣列的后腔面鍍增透膜。