[發明專利]激光結晶系統及其晶化能量控制方法在審
| 申請號： | 201410837007.9 | 申請日： | 2014-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN104465345A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發明（設計）人： | 王志剛;李子健;唐麗娟;李勇 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/268 | 分類號： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市光明新區公*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 激光 結晶 系統 及其 能量 控制 方法 | ||
1.一種激光結晶系統，其特征在于，所述激光結晶系統包括：
Mura監控設備，用于監控晶化過程中的實時Mura狀況；
主機臺，與所述Mura監控設備相連接，用于判斷所述Mura監控設備監控得到的實時Mura狀況的實時級別，并根據所述實時級別生成晶化能量控制指令；
結晶設備，與所述主機臺相連接，用于執行所述主機臺生成的所述晶化能量控制指令以控制所輸出的晶化能量。
2.根據權利要求1所述的激光結晶系統，其特征在于，所述主機臺包括：
存儲模塊，用于存儲Mura狀況的實時級別與所述晶化能量控制指令的一一對應關系的對應表；
判斷模塊，用于根據所述Mura監控設備監控得到的實時Mura狀況從所述存儲模塊查找相對應級別的晶化能量控制指令。
3.根據權利要求2所述的激光結晶系統，其特征在于，所述判斷模塊，還用于判斷所述實時Mura狀況的實時級別是否達到預設閾值，且在判斷到小于所述預設閾值時，不執行生成晶化能量控制指令的過程，使得所述結晶設備保持原有的晶化能量輸出級別。
4.一種激光結晶系統的晶化能量控制方法，其特征在于，所述晶化能量控制方法包括：
通過Mura監控設備監控晶化過程中的實時Mura狀況；
判斷所述Mura監控設備監控得到的實時Mura狀況的實時級別，并根據所述實時級別生成晶化能量控制指令；
執行所述晶化能量控制指令以控制所輸出的晶化能量。
5.根據權利要求4所述的晶化能量控制方法，其特征在于，所述晶化能量控制方法還包括：
存儲Mura狀況的實時級別與所述晶化能量控制指令的一一對應關系的對應表；
所述根據所述實時級別生成晶化能量控制指令的步驟，具體包括：
根據所述Mura監控設備監控得到的實時Mura狀況從所述對應表中查找相對應級別的晶化能量控制指令。
6.根據權利要求5所述的晶化能量控制方法，其特征在于，所述判斷所述Mura監控設備監控得到的實時Mura狀況的實時級別的步驟，還包括：
判斷所述實時Mura狀況的實時級別是否達到預設閾值，且在判斷到小于所述預設閾值時，不執行生成晶化能量控制指令的過程，使得保持原有的晶化能量輸出級別。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
