[發明專利]一種高亮度近紫外LED及其外延生長方法在審
| 申請號： | 201410836566.8 | 申請日： | 2014-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN104485404A | 公開（公告）日： | 2015-04-01 |
| 發明（設計）人： | 賈傳宇;于彤軍;殷淑儀;張國義;童玉珍 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 賈曉玲 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 亮度 紫外 led 及其 外延 生長 方法 | ||
1.一種高亮度近紫外發光二極管，其特征在于，該發光二極管外延為層狀疊加結構，從下向上的材料依次為：圖形化藍寶石襯底、低溫GaN成核層、高溫非摻雜GaN緩沖層、n型GaN層、n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N超晶格應力釋放層、InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源層、p-Aly2Inx2Ga1-x2-y2N電子阻擋層、高溫p型GaN層和p型InGaN接觸層，其中，n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N超晶格應力釋放層的周期數為10至20，隨著超晶格周期數的增加，n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N超晶格應力釋放層中勢阱Inx1Ga1-x1N層的厚度階梯式變大，勢壘Aly1Ga1-y1N層厚度保持固定數值不變，InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源層的周期數為5-10，n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N超晶格應力釋放層和InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源層中0.01≤x1≤x≤0.1，0.01≤y1≤y≤0.1；p-Aly2Inx2Ga1-x2-y2N電子阻擋層和InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源層中0.01≤x2≤x≤0.1；0.01≤y1≤y≤0.1。
2.如權利要求1所述的高亮度近紫外發光二極管，其特征在于，勢阱Inx1Ga1-x1N層的厚度為從1nm階梯式變大到5.5nm，勢壘Aly1Ga1-y1N層的厚度范圍為2.5-3nm。
3.如權利要求1所述的高亮度近紫外發光二極管，其特征在于，n型GaN層厚度范圍為2-4微米，摻雜Si，摻雜濃度為1018-1019cm-3。
4.如權利要求1所述的高亮度近紫外發光二極管，其特征在于，n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N超晶格應力釋放層摻雜Si，摻雜濃度大于1019cm-3。
5.如權利要求1所述的高亮度近紫外發光二極管，其特征在于，InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源層中InxGa1-xN量子阱層的厚度范圍為2-3nm；AlyGa1-yNl壘層的厚度范圍為10-20nm。
6.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，p-Aly2Inx2Ga1-x2-y2N電子阻擋層厚度范圍為20nm-40nm，摻雜Mg，摻雜濃度為1017-1018cm-3。
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