[發明專利]一種制備鍺硅量子點共振隧穿二極管的方法無效
| 申請號： | 201410836252.8 | 申請日： | 2014-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN104576829A | 公開（公告）日： | 2015-04-29 |
| 發明（設計）人： | 姚錦濤;王茺;楊宇;顧曉嵐;沈雷;張麗紅;李芳 | 申請（專利權）人： | 張家港恩達通訊科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 215614 江蘇省蘇州市張家港市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 量子 共振 二極管 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備鍺硅量子點共振隧穿二極管的方法，其特征在于，使用離子束濺射設備，包括如下步驟：
S1.以硅襯底為下電極接觸層(1)，在其上生長一層Si緩沖層(2)；
S2.在Si緩沖層(2)上依次疊加制備多層Ge/Si量子點層(3)和Si隔離層(4)；
S3.在S3制備的Si隔離層上制備上電極接觸層(5)，在上電極接觸層(5)上制備上電極(6)；
S4.在下電極接觸層(1)的一邊較低的臺面上制備電極(7)。
2.如權利要求1所述的一種制備鍺硅量子點共振隧穿二極管的方法，其特征在于：所述下電極接觸層(1)為P型重摻雜Si。
3.如權利要求1所述的一種制備鍺硅量子點共振隧穿二極管的方法，其特征在于：所述上電極接觸層(5)為N型Si。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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