[發明專利]晶化熱處理的溫度測量方法

在審

• 申請號: 201410834111.2
• 申請日: 2014-12-29
• 公開（公告）號: CN104483343A
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發明（設計）人: 歐玲
• 申請（專利權）人: 成都光明光電股份有限公司
• 主分類號: G01N25/14
• 分類號: G01N25/14
• 代理公司: 成都希盛知識產權代理有限公司 51226
• 代理人: 蒲敏

1.晶化熱處理的溫度測量方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

1)對材料加熱并得到差熱曲線；

2)對差熱曲線進行一階微分得到差熱一階微分曲線；

3)所述差熱曲線的第一吸熱峰值溫度Ts為核化開始溫度；所述差熱一階微分曲線的第二個放熱峰開始溫度Ts3^*為晶化最低溫度。

2.如權利要求1所述的晶化熱處理的溫度測量方法，其特征在于，所述差熱一階微分曲線的第一個放熱峰溫度Ts2^*為核化的最佳溫度或核化速率最大化溫度。

3.如權利要求2所述的晶化熱處理的溫度測量方法，其特征在于，可根據晶核尺寸在所述Ts～Ts2^*的溫度范圍內進行核化溫度的選擇。

4.如權利要求1所述的晶化熱處理的溫度測量方法，其特征在于，所述差熱一階微分曲線的第二個放熱峰峰值溫度Ts4^*為晶化速率最大化溫度。

5.如權利要求4所述的晶化熱處理的溫度測量方法，其特征在于，可根據晶體尺寸在所述Ts3^*～Ts4^*的溫度范圍內進行晶化溫度的選擇。

6.如權利要求1所述的晶化熱處理的溫度測量方法，其特征在于，如果材料具有多種晶型，差熱一階微分曲線的第一個放熱峰溫度Ts2^*為核化速率最大化溫度；第二個放熱峰的開始溫度Ts3^*是第一個晶型晶化最低溫度,第二個放熱峰的峰值溫度Ts4^*為第一個晶型晶化速率最大化溫度；第三個放熱峰的開始溫度Ts5^*是第二個晶型晶化最低溫度,第三個放熱峰的峰值溫度Ts6^*為第二個晶型晶化速率最大化溫度，依此類推。

7.如權利要求6所述的晶化熱處理的溫度測量方法，其特征在于，可根據晶體尺寸在所述Ts5^*～Ts6^*的溫度范圍內進行晶化溫度的選擇。

8.如權利要求6所述的晶化熱處理的溫度測量方法，其特征在于，所述第一個晶型與第二個晶型的比例可根據二個晶型晶化所恒溫的時間來確定。