[發明專利]低噪聲低壓差分信號發送器

有效

• 申請號: 201410831527.9
• 申請日: 2014-12-23
• 公開（公告）號: CN104539251A
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: 王漢祥;周玉鎮;戴頡;李耿民;職春星
• 申請（專利權）人: 燦芯半導體（上海）有限公司
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45;H03F1/26
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 龐聰雅;戴薇

1.一種低壓差分信號發送器，其包括晶體管MP0、晶體管M1、晶體管M2、晶體管M3、晶體管M4、晶體管MN0、分壓電阻R1和R2、跨導放大器，

其中分壓電阻R1和R2串聯在第一輸出端OUTP和第二輸出端OUTN，負載電阻RT連接在第一輸出端OUTP和第二輸出端OUTN之間，

所述跨導放大器包括有晶體管MP3，所述跨導放大器的第一輸入端與分壓電阻R1和R2的中間節點相連，其第二輸入端與參考電壓VREF相連，其輸出端與晶體管MN0的柵極相連，

其特征在于，

所述差分信號發送器還包括有晶體管MP6、MN5和MN6、補償電容C0，

所述補償電容C0連接于晶體管MN0的柵極和接地端之間，

晶體管MN6的漏極接晶體管MN0的漏極，其源極接地，其柵極與晶體管MN5的柵極相連，

晶體管MN5的源極接地，其漏極與晶體管MP6的漏極相連，其柵極與其漏極相連；

晶體管MP6的源極與跨導放大器中的晶體管MP3的漏極相連，其柵極與參考電壓VREF相連。

2.根據權利要求1所述的低壓差分信號發送器，其特征在于，

晶體管MP0的源極與電源端相連，其柵極連接第一偏置電壓，其漏極與晶體管M1和晶體管M2的源極相連，

晶體管MN0的源極接地，其漏極與晶體管M3和晶體管M4的源極相連，

晶體管M1的漏極與晶體管M3的漏極相連，晶體管M1的漏極還與第一輸出端OUTP相連，晶體管M1和晶體管M3的柵極與第一控制信號AN相連，

晶體管M2的漏極與晶體管M4的漏極相連，晶體管M4的漏極還與第二輸出端OUTN相連，晶體管M2和晶體管M4的柵極與第二控制信號AP相連。

3.根據權利要求2所述的低壓差分信號發送器，其特征在于，其還包括有：

晶體管M1A、M2A、M3A和M4A，晶體管M1A的漏極與晶體管M1的源極相連，其源極與晶體管M1的漏極相連，其柵極與第二控制信號AP相連，

晶體管M2A的漏極與晶體管M2的源極相連，其源極與晶體管M2的漏極相連，其柵極與第一控制信號AN相連，

晶體管M3A的漏極與晶體管M3的源極相連，其源極與晶體管M3的漏極相連，其柵極與第二控制信號AP相連，

晶體管M4A的漏極與晶體管M4的源極相連，其源極與晶體管M4的漏極相連，其柵極與第一控制信號AN相連。

4.根據權利要求3所述的差分信號發送器，其特征在于，

晶體管MP0、M1、M2、M3A、M4A、MP6、MP3為PMOS晶體管，

晶體管MN0、M3、M4、M1A、M2A、MN6、MN5為NMOS晶體管。

5.根據權利要求4所述的低壓差分信號發送器，其特征在于，

在第一控制信號AN為高電平，第二控制信號AP為低電平時，晶體管M2、M2A、M3、M3A導通，晶體管M1、M1A、M4、M4A截止，偏置電流由電源端依次經過晶體管MP0、晶體管M2和M2A、第二輸出端OUTN、負載電阻RT、第一輸出端OUTP、晶體管M3和M3A、晶體管MN0和MN6流到地，

在第一控制信號AN為低電平，第二控制信號AP為高電平時，晶體管M2、M2A、M3、M3A截止，晶體管M1、M1A、M4、M4A導通，偏置電流由電源端依次經過晶體管MP0、晶體管M1和M1A、第一輸出端OUTP、負載電阻RT、第二輸出端OUTN、晶體管M4和M4A、晶體管MN0和MN6流到地。

6.根據權利要求1所述的低壓差分信號發送器，其特征在于，所述跨導放大器還包括有PMOS晶體管MP5和MP4、NMOS晶體管MN4和MN3，

晶體管MP3的源極與電源端相連，其柵極接第二偏置電壓，其漏極與晶體管MP5和MP4的源極相連，

晶體管MP5的柵極連接至參考電壓VREF，晶體管MP4的柵極連接至分壓電阻R1和R2的中間節點，

晶體管MP5的漏極與晶體管MN4的漏極以及晶體管MN0的柵極相連，晶體管MN4的源極接地，晶體管MN4的柵極與晶體管MN3的柵極相連，

晶體管MN3的源極接地，柵極與其漏極以及晶體管MP4的漏極相連。