[發(fā)明專利]像素結構在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410830552.5 | 申請日: | 2014-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN104460160A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林弘哲;曹正翰;何昇儒;吳尚杰 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 | ||
技術領域
本發(fā)明是有關于一種像素結構,且特別是有關于一種可避免串擾現(xiàn)象(cross-talk)產生的像素結構。
背景技術
在現(xiàn)有的顯示面板中,一般使用共用電極作為遮蔽(shielding)層,以避免數(shù)據(jù)線與像素電極之間產生寄生電容。然而,共用電極本身作為電容器的下電極,共用電極的共電壓亦會受到數(shù)據(jù)線信號的干擾而產生串擾現(xiàn)象(cross-talk),進而扯動共電壓(Vcom),而使顯示面板的顯示品質不穩(wěn)定。
發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種像素結構,其可避免串擾現(xiàn)象產生。
本發(fā)明提出一種像素結構,其包括掃描線以及數(shù)據(jù)線、主動元件、像素電極以及共用電極。主動元件與掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接。像素電極與主動元件電性連接。共用電極與像素電極重疊設置,其中共用電極與像素電極耦合,以形成第一儲存電容器以及第二儲存電容器,且第一儲存電容器以及第二儲存電容器共同使用像素電極作為上電極。
本發(fā)明提出一種像素結構,其包括掃描線以及數(shù)據(jù)線、主動元件、主像素電極(main?pixel?electrode)、次像素電極(sub?pixel?electrode)、主共用電極以及次共用電極。主動元件與掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接。主像素電極與主動元件電性連接。次像素電極與主動元件電性連接。主共用電極與主像素電極重疊設置。次共用電極與次像素電極重疊設置。主共用電極與主像素電極耦合,以形成第一主儲存電容器以及第二主儲存電容器,且第一主儲存電容器以及第二主儲存電容器共同使用主像素電極作為主上電極。次共用電極與次像素電極耦合,以形成第一次儲存電容器以及第二次儲存電容器,且第一次儲存電容器以及第二次儲存電容器共同使用次像素電極作為次上電極。
基于上述,在本發(fā)明的像素結構中,共用電極與像素電極耦合而形成兩個儲存電容器,且兩個儲存電容器共同使用像素電極作為上電極,如此可避免數(shù)據(jù)線對于共用電極的串擾現(xiàn)象產生,進而可使顯示面板的顯示品質獲得改善。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合所附圖式作詳細說明如下。
附圖說明
圖1為依照本發(fā)明一實施例的顯示面板的剖面示意圖。
圖2為依照本發(fā)明一實施例的像素結構的上視示意圖。
圖3為圖2中沿線I-I’的剖面示意圖。
圖4為圖2的像素結構的等效電路圖。
圖5為依照本發(fā)明另一實施例的像素結構的上視示意圖。
圖6為依照本發(fā)明另一實施例的像素結構的上視示意圖。
圖7為依照本發(fā)明另一實施例的像素結構的上視示意圖。
圖8為現(xiàn)有像素結構的共電壓變異曲線圖。
圖9為依照本發(fā)明一實施例的像素結構的共電壓變異曲線圖。
圖10為現(xiàn)有像素結構的上視示意圖。
其中,附圖標記:
10:第一基板
12:像素陣列層
20:第二基板
30:顯示介質
100、100a、200、200a:像素結構
112、122、212、222、232、242:主干部
114、124、214、224、234、244:分支部
116、116a、126、216、216a、226、236、246:接墊
150、160、170、250、270、370:間隙
1000:顯示面板
BE:第三下電極
C1、C2、C3:儲存電容器
CE1、CE2:下電極
CE:共用電極
CH、CH’:通道層
CEm:主共用電極
CEs:次共用電極
Cm1、Cm2:主儲存電容器
Cs1、Cs2:次儲存電容器
CEm1、CEm2:主下電極
CEs1、CEs2:次下電極
D、D1、D2、D3:漏極
DL:數(shù)據(jù)線
d、d2:寬度
E1、E2、E3、E4、E5、E6、E7、E8:邊緣
G、G3:柵極
GI:柵絕緣層
I-I’:線
PE:像素電極
PV:絕緣層
PEm:主像素電極
PEs:次像素電極
S、S1、S2、S3:源極
SL、SL1、SL2:掃描線
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