[發(fā)明專利]一種電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載電源逆變器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410829931.2
• 申請(qǐng)日: 2014-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105790623A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 穆德霞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津銘發(fā)科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02M7/537
• 分類(lèi)號(hào): H02M7/537;H02H9/04
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于汽車(chē)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載電源逆變器。

背景技術(shù)

逆變電路是與整流電路(Rectifier)相對(duì)應(yīng)，把直流電變成交流電稱為逆變。逆變電路應(yīng)用非常廣泛，在已有的各種電源中，蓄電池、干電池、太陽(yáng)能電池等都是直流電源，當(dāng)需要這些電源向交流負(fù)載供電時(shí)，就需要逆變電路，當(dāng)負(fù)載需要高壓時(shí)，就需要用到逆變升壓電路。常見(jiàn)的逆變升壓電路采用直流電直接逆變的方法，當(dāng)直流電電壓波動(dòng)較大時(shí)，逆變升壓后的交流電輸出波動(dòng)會(huì)更大，對(duì)負(fù)載造成損害。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種汽車(chē)電源逆變升壓電路，以解決上述背景技術(shù)中的對(duì)負(fù)載造成損壞的問(wèn)題。

本發(fā)明所解決的技術(shù)問(wèn)題采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：一種汽車(chē)電源逆變升壓電路，其特征在于：包括輸入保護(hù)電路、逆變電路，所述輸入保護(hù)電路包括MOS管Q1、三極管Q4、可控硅Q5、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、極性電容C1，所述MOS管Q1的漏極D連接電阻R1的一端、電阻R3的一端、極性電容C1的正極且都連接輸入電壓VCC，其源極S連接電阻R5的一端，其柵極G連接電阻R2的一端，所述三極管Q4的集電極e連接電阻R1的一端、電阻R2的一端，其基極b連接電阻R3的一端、電阻R4的一端，其發(fā)射極c連接可控硅Q5的陽(yáng)極A、電阻R6的一端、極性電容C1的負(fù)極且都接地，所述可控硅Q5的控制極G連接電阻R5的一端、電阻R6的一端，其陰極K連接電阻R4的一端，所述逆變電路包括MOS管Q2、MOS管Q3、變壓器T1、電阻R7、電阻R8、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5，所述MOS管Q2的漏極D連接變壓器T1的引腳1、電阻R8的一端、電容C3的一端、電容C4的一端，其源極S連接MOS管Q3的源極S且都接地，其柵極G連接電阻R7的一端、電容C2的一端，所述MOS管Q3的漏極D連接變壓器T1的引腳3、電阻R7的一端、電容C2的一端、電容C5的一端，所述變壓器T1的引腳2連接電容C4的一端、電容C5的一端且與MOS管Q1的源極S、電阻R5的一端連接，其引腳4連接輸出電壓Vss-，其引腳5連接輸出電壓Vss+。

所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3選用IRF740A型號(hào)的芯片。

所述可控硅Q5選用KP10-4型號(hào)的元件。

本發(fā)明的有益效果為：

1本專利采用輸入電壓保護(hù)電路，當(dāng)輸入電壓高于設(shè)定保護(hù)電壓時(shí)，保持變壓器的前端電壓穩(wěn)定，從而保證逆變升壓輸出交流電壓的穩(wěn)定。

2本專利電壓保護(hù)電路采用可控硅、二極管、MOS管等構(gòu)成純硬件電路，使得保護(hù)功能快速、及時(shí)、準(zhǔn)確。

3本專利元件構(gòu)成少，成本低，易于生產(chǎn)制造。

4本專利采用非模塊式設(shè)計(jì)，避免了單一元件損壞后更換整體逆變升壓電路的弊端，降低維修成本。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的輸入保護(hù)電路和逆變電路的原理圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步描述：

實(shí)施例：

本實(shí)施例包括：輸入保護(hù)電路和逆變電路(圖1)。

圖1中，輸入保護(hù)電路包括MOS管Q1、三極管Q4、可控硅Q5、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、極性電容C1，所述MOS管Q1的漏極D連接電阻R1的一端、電阻R3的一端、極性電容C1的正極且都連接輸入電壓VCC，其源極S連接電阻R5的一端，其柵極G連接電阻R2的一端，所述三極管Q4的集電極e連接電阻R1的一端、電阻R2的一端，其基極b連接電阻R3的一端、電阻R4的一端，其發(fā)射極c連接可控硅Q5的陽(yáng)極A、電阻R6的一端、極性電容C1的負(fù)極且都接地，所述可控硅Q5的控制極G連接電阻R5的一端、電阻R6的一端，其陰極K連接電阻R4的一端。

圖1中，逆變電路包括MOS管Q2、MOS管Q3、變壓器T1、電阻R7、電阻R8、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5，所述MOS管Q2的漏極D連接變壓器T1的引腳1、電阻R8的一端、電容C3的一端、電容C4的一端，其源極S連接MOS管Q3的源極S且都接地，其柵極G連接電阻R7的一端、電容C2的一端，所述MOS管Q3的漏極D連接變壓器T1的引腳3、電阻R7的一端、電容C2的一端、電容C5的一端，所述變壓器T1的引腳2連接電容C4的一端、電容C5的一端且與MOS管Q1的源極S、電阻R5的一端連接，其引腳4連接輸出電壓Vss-，其引腳5連接輸出電壓Vss+。

利用本發(fā)明所述的技術(shù)方案，或本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明技術(shù)方案的啟發(fā)下，設(shè)計(jì)出類(lèi)似的技術(shù)方案，而達(dá)到上述技術(shù)效果的，均是落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。