[發明專利]低價氧化鈮粉末及其制備方法有效
| 申請號: | 201410829667.2 | 申請日: | 2015-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN104495929B | 公開(公告)日: | 2020-03-31 |
| 發明(設計)人: | 陳學清;程越偉;馬躍忠;李剛;馬海燕;李霞;郭孝民;馬玉婷 | 申請(專利權)人: | 寧夏東方鉭業股份有限公司 |
| 主分類號: | C01G33/00 | 分類號: | C01G33/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 蘇紅梅 |
| 地址: | 753000 寧夏回族*** | 國省代碼: | 寧夏;64 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低價 氧化 粉末 及其 制備 方法 | ||
1.一種含氧均勻的低價氧化鈮粉末,將其篩分成5個粒度區間,各粒度區間分別為60-80目、80-200目、200-325目、325-400目、-400目,各粒度區間的低價氧化鈮粉末中氧含量的樣本標準差≤0.5wt%,各粒度區間的低價氧化鈮粉末中氮含量的樣本標準差≤250ppm;
所述低價氧化鈮粉末的制備方法包括:
1)將原料低價氧化鈮粉末混合均勻后,在氫氣氣氛中加熱到700~1000℃,保溫3~8小時,而后將溫度降至500~700℃,將氫氣氣氛置換成氮氣氛,保溫100~140分鐘,冷卻鈍化后出爐,
2)對步驟1)的產物進行熱處理;
其中,步驟1),所述原料低價氧化鈮粉末是將五氧化二鈮用還原劑還原后得到的低價氧化鈮粉末,或者將鈮與五氧化二鈮進行歧化反應得到的低價氧化鈮粉末;
其中,步驟2),所述的熱處理是在真空或惰性氣氛中加熱到1100~1500℃,保溫1~2小時。
2.權利要求1的含氧均勻的低價氧化鈮粉末,各粒度區間的低價氧化鈮粉末中氧含量的樣本標準差≤0.4wt%。
3.權利要求1的含氧均勻的低價氧化鈮粉末,各粒度區間的低價氧化鈮粉末中氧含量的樣本標準差≤0.3wt%。
4.權利要求1的含氧均勻的低價氧化鈮粉末,各粒度區間的低價氧化鈮粉末中氧含量的樣本標準差≤0.2wt%。
5.權利要求1的含氧均勻的低價氧化鈮粉末,各粒度區間的低價氧化鈮粉末中氧含量的樣本標準差≤0.15wt%。
6.權利要求1的含氧均勻的低價氧化鈮粉末,各粒度區間的低價氧化鈮粉末中氧含量的極差為≤1.6wt%。
7.權利要求1的含氧均勻的低價氧化鈮粉末,各粒度區間的低價氧化鈮粉末中氧含量的極差為≤1.2wt%。
8.權利要求1的含氧均勻的低價氧化鈮粉末,各粒度區間的低價氧化鈮粉末中氧含量的極差為≤1wt%。
9.權利要求1的含氧均勻的低價氧化鈮粉末,各粒度區間的低價氧化鈮粉末中氧含量的極差為≤0.8wt%。
10.權利要求1的含氧均勻的低價氧化鈮粉末,各粒度區間的低價氧化鈮粉末中氧含量的極差為≤0.5wt%。
11.權利要求1的含氧均勻的低價氧化鈮粉末,各粒度區間的低價氧化鈮粉末中氧含量為13%~16wt%。
12.權利要求1的含氧均勻的低價氧化鈮粉末,各粒度區間的低價氧化鈮粉末中氧含量為14.6%~15.4wt%。
13.權利要求1的含氧均勻的低價氧化鈮粉末,各粒度區間的低價氧化鈮粉末中氧含量為14%~15wt%。
14.權利要求1的含氧均勻的低價氧化鈮粉末,所述的低價氧化鈮粉末的分子式由NbOx表示,其中x=0.99~1.06。
15.權利要求14的含氧均勻的低價氧化鈮粉末,所述的低價氧化鈮粉末的分子式由NbOx表示,其中x=0.99。
16.權利要求14的含氧均勻的低價氧化鈮粉末,所述的低價氧化鈮粉末的分子式由NbOx表示,其中x=1.06。
17.權利要求15的含氧均勻的低價氧化鈮粉末,各粒度區間的低價氧化鈮粉末中氮含量的樣本標準差≤230ppm。
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