[發明專利]一種存儲器元件及其制造方法有效
| 申請號: | 201410829584.3 | 申請日: | 2014-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN105789210B | 公開(公告)日: | 2018-10-12 |
| 發明(設計)人: | 陳士弘 | 申請(專利權)人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/11565 | 分類號: | H01L27/11565;H01L27/11582;H01L21/768;G11C16/04;G11C16/26;G11C16/10;G11C8/14;G11C29/00;G11C16/08;G11C29/44 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 存儲器 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一種存儲器元件,包括:
多個導電條疊層,這些導電條疊層的多個導電條是與多個絕緣條交錯,這些導電條疊層包括導電條的至少一底部平面、導電條的多個中間平面、導電條的一頂部平面、及導電條的一附加的中間平面;
多個垂直結構,這些垂直結構是被正交地配置于這些導電條疊層;
多個存儲器單元,這些存儲器單元是位于多個交叉點的界面區域中,這些交叉點是位于這些導電條疊層的側表面及這些垂直結構之間;
一鏈接元件疊層,該鏈接元件疊層的多個鏈接元件是通過多個絕緣層分開,這些鏈接元件是連接于這些中間平面中各自的中間平面中的導電條,且這些鏈接元件是連接于該附加的中間平面;以及
一譯碼電路,該譯碼電路被耦接于這些中間平面及該附加的中間平面,且該譯碼電路是被配置為用該附加的中間平面來取代被指出為有缺陷的中間平面。
2.根據權利要求1所述的存儲器元件,其中該譯碼電路包括一存儲器及一邏輯電路,該存儲器是用于儲存多個數據,這些數據指出是否有特定的中間平面是有缺陷,該邏輯電路是響應于這些數據,以選擇該附加的中間平面。
3.根據權利要求1所述的存儲器元件,包括多個該附加的中間平面。
4.根據權利要求3所述的存儲器元件,其中這些附加的中間平面被配置于導電條的該頂部平面及這些中間平面之間。
5.根據權利要求3所述的存儲器元件,其中這些附加的中間平面被配置于這些中間平面及導電條的該至少一底部平面之間。
6.根據權利要求1所述的存儲器元件,包括多對層間連接件,這些對層間連接件是由一連接表面延伸,其中各個開些對層間連接件包括冗余的一第一層間連接件及一第二層間連接件,該第一層間連接件及該第二層間連接件是連接于一單獨的鏈接元件,該單獨的鏈接元件是位于該鏈接元件疊層中。
7.根據權利要求6所述的存儲器元件,包括多個圖案化導線,這些圖案化導線是位于該連接表面的頂部上,這些圖案化導線是連接于各自對層間連接件,且這些圖案化導線被耦接于該譯碼電路。
8.根據權利要求1所述的存儲器元件,包括:
一對層間連接件,該對層間連接件是由一第二連接表面延伸至一鏈接元件,該鏈接元件是連接于該至少一底部平面中的導電條。
9.根據權利要求8所述的存儲器元件,包括:
一圖案化導線,該圖案化導線是位于該第二連接表面的頂部上,該圖案化導線是連接于該對層間連接件,且該圖案化導線被耦接于一第二譯碼電路,該第二譯碼電路被耦接于該底部平面。
10.根據權利要求1所述的存儲器元件,包括導電條疊層的多個區塊,各個這些區塊包括導電條的至少一底部平面、導電條的多個中間平面、導電條的一頂部平面、及導電條的一附加的中間平面,
其中該譯碼電路是被配置為用一特定區塊中的該附加的中間平面來取代該特定區塊中的被指出為有缺陷的中間平面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





