[發明專利]一種MnFeCu三元反鐵磁形狀記憶合金薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201410829452.0
• 申請日: 2014-12-22
• 公開（公告）號: CN104561918A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 黃冠麟;崔書山;林木;黎雨;萬見峰
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/14;C22C22/00
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種MnFeCu三元反鐵磁形狀記憶合金薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

a.將MnFeCu三元合金作為靶材安裝在磁控濺射設備的靶位上；

b.將襯底置于真空室樣品臺上，抽真空至真空度為1.0×10^-4Pa-5.0×10^-4Pa，使襯底的溫度為室溫～700K，在濺射功率為60W～140W，靶材與襯底的間距為40mm-80mm的條件下濺射沉積MnFeCu薄膜，濺射完成后，在高真空下冷卻至室溫，即可制得MnFeCu三元反鐵磁形狀記憶合金薄膜。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述MnFeCu三元合金包括以重量份計的以下組分：

Mn???70-80份；

Fe???15-25份；

Cu???4-6份。

3.如權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟a中的所述MnFeCu三元合金的制備方法包括以下步驟：

將以重量份計的70-80份Mn、15-25份Fe和4-6份Cu裝入真空感應爐內，抽真空至0.1-1Pa，然后充入氬氣保護，采用感應加熱直到上述材料熔化，再均勻化熔煉5-10分鐘，之后將合金溶液倒出，冷卻，即可制成MnFeCu三元合金。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述襯底為Si單晶片、石英玻璃、銅箔或鋁片。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟b中的高真空是指真空度為1.0×10^-4Pa-5.0×10^-4Pa。

6.一種如權利要求1所述的MnFeCu三元反鐵磁形狀記憶合金薄膜的制備方法中用到的MnFeCu三元合金的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將以重量份計的70-80份Mn、15-25份Fe和4-6份Cu裝入真空感應爐內，抽真空至0.1-1Pa，然后充入氬氣保護，采用感應加熱直到上述材料熔化，再均勻化熔煉5-10分鐘，之后將合金溶液倒出，冷卻，即可制成MnFeCu三元合金。