[發(fā)明專利]一種基座及等離子體加工設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410829100.5
• 申請日: 2014-12-26
• 公開（公告）號: CN105789107A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 常大磊;陳鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01J37/32;H01J37/20
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種基座，包括設(shè)有凸臺的金屬圓盤和絕緣環(huán)，所述絕緣環(huán) 嵌套于所述凸臺的外側(cè)，其特征在于，在所述金屬圓盤的承載面設(shè)有 凹部，所述凹部的深度在所述金屬圓盤的徑向方向上不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基座，其特征在于，所述凹部的深度從 所述金屬圓盤的邊緣到所述金屬圓盤的中心呈梯度變化，而且越靠近 所述金屬圓盤的中心位置所述凹部的深度越深。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基座，其特征在于，所述凹部的深度根 據(jù)中心區(qū)域的射頻耦合效率確定，中心區(qū)域的射頻耦合效率越低，所 述凹部的深度越深，且所述凹部中心區(qū)域的深度小于1mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基座，其特征在于，將所述凹部分為兩 個區(qū)域，第一區(qū)域?yàn)橐运龀休d面的對稱中心為圓心，直徑為D1內(nèi)的 區(qū)域；第二區(qū)域?yàn)橐运龀休d面的對稱中心為圓心，位于直徑D1外和 D2內(nèi)之間的區(qū)域，其中，D1為刻蝕速率曲線中心鼓包的半峰寬，D2為 所述刻蝕速率曲線兩個波谷之間的距離。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基座，其特征在于，所述凹部從所述金 屬圓盤的邊緣到所述金屬圓盤的中心逐漸平滑過度形成凹面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基座，其特征在于，在所述金屬圓盤的 承載面設(shè)有絕緣層，借助所述絕緣層使所述金屬圓盤的承載面保持平 坦。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基座，其特征在于，所述絕緣層采用噴 涂、濺射或涂覆工藝形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基座，其特征在于，所述絕緣層為陶瓷 層或石英層。

9.一種等離子體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室和設(shè)于所述反應(yīng)腔室內(nèi) 的基座，所述基座與下電極射頻電源電連接，其特征在于，所述基座 為權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的基座。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體加工設(shè)備，其特征在于，其用 于刻蝕設(shè)備或物理氣相沉積設(shè)備。