[發(fā)明專利]真空處理裝置、用于改善真空處理裝置工藝結(jié)果的方法

有效

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• 申請日: 2014-12-23
• 公開（公告）號: CN105789089B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發(fā)明（設計）人: 左濤濤;吳狄;何乃明
• 申請（專利權(quán)）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.用于半導體加工的真空處理裝置，包括：

由底壁、側(cè)壁及頂蓋圍成的反應腔室，所述頂蓋以可轉(zhuǎn)動的方式安裝在所述側(cè)壁上，以使得所述反應腔室可通過所述頂蓋暴露；

氣彈簧，所述氣彈簧的一端安裝在所述頂蓋上，另一端安裝在所述側(cè)壁上，用于在所述頂蓋完全打開、完全關閉時使所述頂蓋保持狀態(tài)，當所述頂蓋完全關閉時，所述側(cè)壁的上表面與所述頂蓋之間呈零度角，當所述頂蓋完全打開時，所述頂蓋與所述側(cè)壁的上表面之間呈鈍角；

液壓阻尼器，所述液壓阻尼器的一端安裝在所述頂蓋上，一端安裝在所述側(cè)壁上，用于限制所述頂蓋打開或關閉過程中的速度；所述氣彈簧與所述液壓阻尼器平行設置。

2.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其中，所述氣彈簧的壓力缸端安裝在所述頂蓋上，所述氣彈簧的活塞桿端安裝在所述側(cè)壁上。

3.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其中，所述液壓阻尼器包括：

油缸；

位于所述油缸內(nèi)的活塞，所述活塞將所述油缸分為兩部分；

儲油箱，所述油缸的兩部分各通過一并聯(lián)的提升閥與節(jié)流閥分別與所述儲油箱相連通；

活塞桿，所述活塞桿的一端連接在所述活塞上，另一端延伸出所述油缸外。

4.如權(quán)利要求3所述的真空處理裝置，其中，所述液壓阻尼器的活塞桿端安裝在所述頂蓋上，油缸端安裝在所述側(cè)壁上。

5.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其中，所述側(cè)壁的數(shù)目為多個，至少包括第一側(cè)壁、以及分別與第一側(cè)壁相連的第二側(cè)壁與第三側(cè)壁，所述頂蓋安裝在所述第一側(cè)壁的上表面，所述氣彈簧與所述液壓阻尼器均安裝在所述第二側(cè)壁或第三側(cè)壁上。

6.如權(quán)利要求5所述的真空處理裝置，其中，所述氣彈簧與所述液壓阻尼器的數(shù)目為兩個或更多；所述第二側(cè)壁與第三側(cè)壁上均安裝有氣彈簧與液壓阻尼器。

7.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其中，所述氣彈簧包括：

壓力缸；

設置在所述壓力缸內(nèi)的活塞，所述活塞將所述壓力缸分為兩部分，所述活塞上設有通道，以將所述兩部分相連通，使它們的內(nèi)部壓強相等；

活塞桿，所述活塞桿沿所述壓力缸的長度方向延伸，所述活塞桿的一端接觸在所述活塞的表面，另一端延伸出所述壓力缸。

8.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其中，所述氣彈簧與所述液壓阻尼器均設置在所述反應腔室外。

9.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其中，所述真空處理裝置為等離子體刻蝕裝置、等離子體沉積裝置、化學氣相沉積裝置或有機金屬化學氣相沉積裝置。

10.用于改善真空處理裝置工藝結(jié)果的方法，所述真空處理裝置包括由底壁、側(cè)壁及頂蓋圍成的反應腔室，所述頂蓋以可轉(zhuǎn)動的方式安裝在所述側(cè)壁上，以使得所述反應腔室可通過所述頂蓋暴露；所述真空處理裝置還包括氣彈簧，所述氣彈簧的一端安裝在所述頂蓋上，另一端安裝在所述側(cè)壁上，用于在所述頂蓋完全打開、完全關閉時使所述頂蓋保持狀態(tài)，當所述頂蓋完全關閉時，所述側(cè)壁的上表面與所述頂蓋之間呈零度角，當所述頂蓋完全打開時，所述頂蓋與所述側(cè)壁的上表面之間呈鈍角；所述方法，包括：

在轉(zhuǎn)動所述頂蓋以打開或關閉所述反應腔室的過程中，減緩所述頂蓋轉(zhuǎn)動的速度。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，利用液壓阻尼器減緩所述頂蓋轉(zhuǎn)動的速度，所述液壓阻尼器的一端安裝在所述頂蓋上，一端安裝在所述側(cè)壁上。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述氣彈簧的壓力缸端安裝在所述頂蓋上，所述氣彈簧的活塞桿端安裝在所述側(cè)壁上。