[發(fā)明專利]一種射頻功率放大器高次諧波抑制電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410826980.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104506143B | 公開(公告)日: | 2018-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬建國;成千福;朱守奎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H03F1/02 | 分類號(hào): | H03F1/02;H03F3/20;H03F3/189 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所12201 | 代理人: | 李麗萍 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 射頻 功率放大器 諧波 抑制 電路 | ||
1.一種射頻功率放大器高次諧波抑制電路,包括晶體管,高次諧波抑制電路和輸出匹配電路,所述高次諧波抑制電路位于晶體管和輸出匹配電路之間;所述輸出匹配電路位于高次諧波抑制電路和負(fù)載之間;所述輸出匹配電路包含基波匹配電路和直流偏置電路;所述高次諧波抑制電路采用低通濾波器或帶通濾波器實(shí)現(xiàn)高次諧波抑制;所述低通濾波器由一對(duì)結(jié)構(gòu)對(duì)稱的并聯(lián)耦合線和一個(gè)串聯(lián)的電容Cs構(gòu)成,通過調(diào)節(jié)藕合線的尺寸和選取電容CS的電容量,在阻帶內(nèi)形成3個(gè)有限的傳輸極點(diǎn),阻帶內(nèi)的插損為30dB以上,低頻段的通頻帶內(nèi)的插損最低為0.07dB;
所述高次諧波抑制電路實(shí)現(xiàn)抑制的高次諧波大于或等于二次;
所述晶體管的柵極連接輸入匹配電路,所述輸入匹配電路連接有柵極直流偏置電路和穩(wěn)定電路;所述高次諧波抑制電路為三至六次諧波抑制電路;所述晶體管的漏極與高次諧波抑制電路之間設(shè)有漏極直流偏置電路和二次諧波抑制電路;
其特征在于:
所述輸入匹配電路設(shè)置在輸入端與晶體管之間,所述輸入匹配電路由微帶構(gòu)成的單枝節(jié)匹配電路構(gòu)成;
所述柵極直流偏置電路由波長為λ/4的傳微帶線和自諧振頻率為基波頻率f的電容構(gòu)成,所述自諧振頻率為基波頻率f的電容實(shí)現(xiàn)波長為λ/4的傳微帶線的交流短路;
所述穩(wěn)定電路由在柵極直流偏置電路和輸入匹配電路之間連接的電阻構(gòu)成;
所述漏極直流偏置電路和二次諧波抑制電路由為λ/4的傳微帶線和自諧振頻率為基波頻率f的電容C1和二次諧波頻率的電容C2構(gòu)成,所述電容C1和電容C2并聯(lián)連接在λ/4的傳微帶線的一端,λ/4的傳微帶線的另一端與所述輸出匹配電路連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述射頻功率放大器高次諧波抑制電路,其特征在于,所述高次諧波抑制電路實(shí)現(xiàn)抑制的高次諧波大于或等于三次;射頻功率放大器的基波頻率在所述低通濾波器的通頻帶內(nèi)或是所述帶通濾波器的通頻帶內(nèi),所有諧波頻率分量在所述濾波器的阻帶內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述射頻功率放大器高次諧波抑制電路,其特征在于,所述高次諧波抑制電路實(shí)現(xiàn)抑制的高次諧波為三至六次。
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H03F 放大器
H03F1-00 只用電子管,只用半導(dǎo)體器件或只用未特別指明的器件作為放大元件的放大器的零部件
H03F1-02 .為提高效率對(duì)放大器的改進(jìn),例如滑動(dòng)甲類放大級(jí),采用輔助振蕩
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H03F1-26 .為減少由放大元件產(chǎn)生的噪聲影響對(duì)放大器的改進(jìn)
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