[發明專利]熔絲結構、包含該熔絲結構的半導體器件及制備方法

在審

• 申請號: 201410826883.1
• 申請日: 2014-12-25
• 公開（公告）號: CN105789178A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 吳建興
• 申請（專利權）人: 中航（重慶）微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L21/768
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種熔絲結構，其特征在于，包括：

熔絲本體，設置有熔斷區及位于該熔斷區兩端的連接區；

其中，位于所述熔斷區中的所述熔絲本體上設置有凹槽，以用于 形成熔斷處。

2.如權利要求1所述的熔絲結構，其特征在于，還包括：

電觸頭，設置于位于所述連接區中的所述熔絲本體上，所述熔絲 本體通過所述電觸頭與外部結構電連接。

3.如權利要求1所述的熔絲結構，其特征在于，所述熔斷處設 置于所述熔斷區沿長度方向的中點上。

4.如權利要求1所述的熔絲結構，其特征在于，所述熔絲本體 上在所述熔斷處沿垂直于熔絲本體長度方向上的截面面積最小。

5.如權利要求1所述的熔絲結構，其特征在于，所述凹槽結構 為尖端凹槽，所述熔斷處位于所述尖端凹槽的底部。

6.如權利要求1所述的熔絲結構，其特征在于，在所述熔絲本 體的至少一側側壁上開設有所述凹槽。

7.如權利要求1所述的熔絲結構，其特征在于，位于所述熔斷 區的熔絲本體的厚度小于位于所述連接區的熔絲本體的厚度。

8.一種半導體器件，其特征在于，包括如權利要求1～7中任意 一項所述的熔絲結構。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述熔絲結 構還設置有：

大能量熔斷處，位于所述熔斷區與所述連接區接觸的區域中的所 述熔絲本體上，以用于保護所述半導體器件免受瞬時大電能的損傷。

10.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，基于所述半 導體器件的最大電能容許值設置所述熔絲本體上在所述熔斷處沿垂 直于熔絲本體長度方向上的截面面積及形狀。

11.一種熔絲結構的制備方法，其特征在于，包括：

提供一半導體襯底；

于所述半導體襯底上制備熔絲本體，且該熔絲本體上設置有熔斷 區及位于該熔斷區兩端的連接區；

在位于所述熔斷區的所述熔絲本體上的至少一側側壁上開設一 凹槽，以于該凹槽的底部形成熔斷處。

12.如權利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述熔斷處 設置于所述熔斷區沿長度方向的中點上。

13.如權利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述熔絲本 體上在所述熔斷處沿垂直于熔絲本體長度方向上的截面面積最小。