[發明專利]具有彩色頂側的硅晶圓

有效

• 申請號: 201410826006.4
• 申請日: 2014-12-25
• 公開（公告）號: CN104752573B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 林繼周;和正平
• 申請（專利權）人: 旭景科技有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄭小粵

1.一種具有彩色頂側的硅晶圓，其特征在于，包含：

一晶圓，能夠切割而產生多個芯片，該芯片具有至少一側面向外部光線，而不是兩側都封裝于熱固性塑料中；

一第一半導體層，形成于至少該晶圓的一頂側的一部分上，具有一種二維的光子晶體周期性結構以形成一光柵圖案，及

一第二半導體層，形成于該第一半導體層上，以一底側完全接觸該周期性結構，

其中，該第一半導體層與該第二半導體層形成一光子晶體層，該光子晶體層能從面對外部光線的表面反射一預定波長范圍內的入射可見光線，以便該晶圓的頂部產生至少兩種不同顏色。

2.如權利要求1所述的硅晶圓，其中相鄰的周期性結構間的中心距離范圍為100nm～700nm。

3.如權利要求1所述的硅晶圓，其中該晶圓的頂部產生的所述至少兩種不同顏色形成一標志或商標。

4.如權利要求1所述的硅晶圓，進一步包含一第三半導體層與一第四半導體層，從下到上依次形成，于至少該第二半導體層的一部分、該晶圓的一部分或該第二半導體層與晶圓的一部分上，其中該第三半導體層與該第四半導體層形成一光子晶體層。

5.如權利要求4所述的硅晶圓，其中該第三半導體層具有周期性結構與該第四半導體層的一底側，該底側完全接觸該周期性結構。

6.如權利要求1所述的硅晶圓，進一步包含一保護層，該保護層覆蓋該第二半導體層的上部，用以保護該第二半導體層。

7.如權利要求6所述的硅晶圓，其中該保護層為透明或半透明，以通透光線。

8.如權利要求1所述的硅晶圓，其中該周期性結構為柱體、氣孔、堆棧棒體或堆棧奈米結構。