[發(fā)明專利]碳化硅壘晶層的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410825914.1
• 申請(qǐng)日: 2014-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN104593865A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖奇泊;周雯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廖奇泊;周雯
• 主分類號(hào): C30B29/36
• 分類號(hào): C30B29/36;C30B15/00
• 代理公司: 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236
• 代理人: 郭國(guó)中

1.一種碳化硅壘晶層的制造方法，其特征在于，其包括以下步驟：

步驟一，在原本的硅晶圓制程上先以植入晶種方式進(jìn)行拉晶；

步驟二，成長(zhǎng)一個(gè)含有氮化硅鋁或多晶層的緩沖層或微量的碳化硅晶種，以改變晶圓表面的晶格長(zhǎng)度；

步驟三，先以微量成長(zhǎng)碳化硅；

步驟四，利用不同溫度、不同壓力交錯(cuò)進(jìn)行不同特性程度的碳化硅生長(zhǎng)；

步驟五，退火。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅壘晶層的制造方法，其特征在于，所述步驟一在硅晶圓制程中加入碳、鍺、硼以改變其分子鍵結(jié)、密度以幫助后續(xù)碳化硅成長(zhǎng)。