[發(fā)明專利]LED器件及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410824639.1 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105789407A | 公開(公告)日: | 2016-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳宗烈;龔樸 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇豪邁照明科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/48 | 分類號(hào): | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/00;C03C4/08;C03C3/04 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 顧麗波;陳源 |
| 地址: | 224700 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | led 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種LED器件,包括LED半導(dǎo)體芯片和在所述LED半導(dǎo)體芯 片的出光面上燒結(jié)而成的半透明玻璃體;其中,
半透明玻璃體是將納米級(jí)玻璃粉體與紅黃基色熒光粉混合制備 的懸浮液涂覆在所述LED半導(dǎo)體芯片的出光面上,自然干燥后燒結(jié)而 成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED器件,還包括用于承載LED半導(dǎo) 體芯片的COB封裝基板、用于LED半導(dǎo)體芯片與LED半導(dǎo)體芯片電連 接的金屬線、以及用于外接的電引出金屬點(diǎn)或電引出金屬線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED器件,其中,
所述納米級(jí)玻璃粉體包括摻入了二氧化鈦和三氧化二鐵的玻璃 材料,以及二氧化鈦和三氧化二鐵總量為玻璃材料的50至100ppm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED器件,其中,所述玻璃材料包括 重量占比分別為8%的Na2O、1%的Al2O3、18%的B2O3和73%的SiO2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED器件,其中,所述懸浮液通 過(guò)以下方式制備:
將納米級(jí)玻璃粉體與紅黃基色熒光粉按照重量占比為1:1的份 額混合成混合物,并按照1千克的所述混合物添加1000毫升無(wú)水乙 醇的配比方式在球磨罐中混合,封閉該球磨罐,在球磨機(jī)上球磨,制 備成懸浮液。
6.一種LED器件的制備方法,包括:
將納米級(jí)玻璃粉體與紅黃基色熒光粉混合制備成懸浮液;
將所述懸浮液涂覆到LED半導(dǎo)體芯片的出光面上,形成涂覆層; 以及
將涂覆有懸浮液的LED半導(dǎo)體芯片自然干燥后燒結(jié)至所述涂覆 層變?yōu)榘胪该鞑Aw為止。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其中,所述納米級(jí)玻璃粉 體是通過(guò)在玻璃配方材料中摻入二氧化鈦和三氧化二鐵制備的,二氧 化鈦和三氧化二鐵總量為玻璃材料的50至100ppm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法,其中,所述玻璃配方材料 包括重量占比分別為8%的Na2O、1%的Al2O3、18%的B2O3和73%的SiO2。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制備方法,其中,所述納米級(jí)玻 璃粉體通過(guò)以下步驟制備:
在玻璃材料中摻入二氧化鈦和三氧化鐵,混合均勻后放入坩堝 爐熔制成為玻璃液料,將熔制的玻璃液料拉絲制成玻璃纖維,粉碎后 再放入球磨壇進(jìn)行球磨,制備成中心粒度為100至400納米的納米級(jí) 玻璃粉體。
10.根據(jù)權(quán)利要求6-8任一項(xiàng)所述的制備方法,其中,制備懸 浮液的步驟為:
將納米級(jí)玻璃粉體與紅黃基色熒光粉按照重量占比為1:1的份 額混合成混合物,并按照1千克的所述混合物添加1000毫升無(wú)水乙 醇的配比方式在球磨罐中混合,封閉該球磨罐,在球磨機(jī)上球磨,制 備成所述懸浮液。
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