[發(fā)明專(zhuān)利]一種提高晶片處理良率的蝕刻裝置及其蝕刻方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410823851.6
• 申請(qǐng)日: 2014-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105789088B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 左濤濤;倪圖強(qiáng);吳狄
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/67
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 上海信好專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔

本發(fā)明公開(kāi)了一種提高晶片處理良率的蝕刻裝置及其蝕刻方法，蝕刻裝置包含蝕刻反應(yīng)腔、設(shè)置在蝕刻反應(yīng)腔上部的蓋襯部件、設(shè)置在蓋襯部件上方的絕緣窗、設(shè)置在該蝕刻反應(yīng)腔底部的排氣系統(tǒng)、設(shè)置在排氣系統(tǒng)上方的基座用于固定待刻蝕晶片；蝕刻反應(yīng)腔的內(nèi)壁與蓋襯部件向下延展部分之間設(shè)有充氣區(qū)域，在充氣區(qū)域設(shè)有充氣孔，充氣孔用于將包含處理氣體的填充氣體充入充氣區(qū)域內(nèi)。通過(guò)上述設(shè)計(jì)，避免了蝕刻工藝過(guò)程中的副產(chǎn)物進(jìn)入間隙區(qū)域中，從而避免了其他待刻蝕晶片被污染，保證并提高了晶片的蝕刻良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及提高晶片蝕刻良率的裝置，具體涉及一種提高晶片處理良率的蝕刻裝置及其蝕刻方法。

背景技術(shù)

使用蝕刻工具通過(guò)某些處理氣體對(duì)晶片進(jìn)行蝕刻工藝過(guò)程中，需要設(shè)計(jì)遮板、隔襯等，將這些具有強(qiáng)反應(yīng)性的處理氣體產(chǎn)生的等離子體與蝕刻反應(yīng)部件進(jìn)行隔離，從而保護(hù)蝕刻反應(yīng)部件不被腐蝕。然而現(xiàn)有技術(shù)的上述設(shè)計(jì)，會(huì)導(dǎo)致活動(dòng)部件的遮板、隔襯與蝕刻反應(yīng)部件之間存在間隙，隔襯與抽氣環(huán)之間存在間隙，因此在實(shí)際蝕刻過(guò)程中，蝕刻產(chǎn)生的副產(chǎn)物會(huì)進(jìn)入上述間隙中；其他待刻蝕晶片在上述蝕刻工具中進(jìn)行蝕刻工藝時(shí)，當(dāng)其他待刻蝕晶片通過(guò)晶片傳送部件從蝕刻反應(yīng)部件傳送經(jīng)過(guò)隔襯內(nèi)空間的過(guò)程中，會(huì)攪動(dòng)間隙中的副產(chǎn)物，并可能使得副產(chǎn)物掉入晶片表面，從而影響晶片的蝕刻效率、蝕刻均勻度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種提高晶片處理良率的蝕刻裝置及其蝕刻方法，包含蝕刻反應(yīng)腔、設(shè)置在蝕刻反應(yīng)腔上部的蓋襯部件、設(shè)置在蓋襯部件上方的絕緣窗、設(shè)置在該蝕刻反應(yīng)腔底部的排氣系統(tǒng)、設(shè)置在排氣系統(tǒng)上方的基座用于固定待刻蝕晶片；蝕刻反應(yīng)腔的內(nèi)壁與蓋襯部件向下延展部分之間設(shè)有充氣區(qū)域，在充氣區(qū)域設(shè)有充氣孔，充氣孔用于將包含處理氣體的填充氣體充入充氣區(qū)域內(nèi)。通過(guò)上述設(shè)計(jì)，避免了蝕刻工藝過(guò)程中的副產(chǎn)物進(jìn)入間隙區(qū)域中，從而避免了其他待刻蝕晶片被污染，保證并提高了晶片的蝕刻良率。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種提高晶片處理良率的蝕刻裝置，所述蝕刻裝置包含：蝕刻反應(yīng)腔、設(shè)置在所述蝕刻反應(yīng)腔上部的蓋襯部件、設(shè)置在所述蓋襯部件上方的絕緣窗、設(shè)置在該蝕刻反應(yīng)腔底部的排氣系統(tǒng)、設(shè)置在所述排氣系統(tǒng)上方的基座用于固定待刻蝕晶片；其中所述蓋襯部件包括上端固定在反應(yīng)腔頂部和絕緣窗之間，下端向下延展；

優(yōu)選地，所述蝕刻反應(yīng)腔的內(nèi)壁與所述蓋襯部件向下延展部分之間設(shè)有充氣區(qū)域，在所述充氣區(qū)域設(shè)有充氣孔，所述充氣孔用于將包含處理氣體的填充氣體充入所述充氣區(qū)域內(nèi)。

優(yōu)選地，所述蓋襯部件上端包括多個(gè)氣體管道向反應(yīng)腔內(nèi)的反應(yīng)區(qū)域通入處理氣體，所述多個(gè)氣體管道側(cè)壁上設(shè)有多個(gè)第二氣孔作為充氣孔與所述充氣區(qū)域相通。

優(yōu)選地，所述蝕刻反應(yīng)腔內(nèi)部設(shè)有進(jìn)氣孔；該進(jìn)氣孔與所述充氣區(qū)域相通。

優(yōu)選地，所述蝕刻反應(yīng)腔側(cè)壁頂部沿徑向還設(shè)有多個(gè)進(jìn)氣通道作為充氣孔，每個(gè)所述進(jìn)氣通道與所述進(jìn)氣孔相通。

優(yōu)選地，所述蓋襯部件橫截面呈環(huán)形。

優(yōu)選地，所述蝕刻反應(yīng)腔側(cè)壁上設(shè)有第一晶片送入孔，所述蓋襯部件向下延展部上設(shè)有第二晶片送入孔； 所述第一晶片送入孔與所述第二晶片送入孔位置一一對(duì)應(yīng)。

優(yōu)選地，該蝕刻裝置還包含一個(gè)可升降的遮板，所述遮板設(shè)置在所述第一晶片送入孔和第二晶片送入孔之間，所述遮板在第一和第二高度時(shí)分別使第一晶片送入孔和第二晶片送入孔之間處于聯(lián)通和遮斷狀態(tài)。

優(yōu)選地，該蝕刻裝置還包含：晶片傳送部件，所述晶片傳送部件通過(guò)所述第一晶片送入孔、第二晶片送入孔進(jìn)入所述蓋襯部件內(nèi)；所述晶片傳送部件將待刻蝕晶片通過(guò)所述第一晶片送入孔、第二晶片送入孔送入到所述基座上。

優(yōu)選地，每個(gè)所述氣體管道的直徑大于對(duì)應(yīng)的所述第二氣孔直徑。

優(yōu)選地，所述排氣系統(tǒng)包含：