[發明專利]一種連續式真空離子鍍膜機在審
| 申請號: | 201410823619.2 | 申請日: | 2014-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN104404474A | 公開(公告)日: | 2015-03-11 |
| 發明(設計)人: | 關秉羽 | 申請(專利權)人: | 遼寧北宇真空科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/56 | 分類號: | C23C14/56;C23C14/35 |
| 代理公司: | 鐵嶺天工專利商標事務所 21105 | 代理人: | 靳萬清 |
| 地址: | 112600 遼寧省*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 連續 真空 離子 鍍膜 | ||
1.一種連續式真空離子鍍膜機,其特征在于:具有箱式真空鍍膜室(1),箱式真空鍍膜室內的左、右兩側分別設有基膜放卷機構(2)和基膜收卷糾偏機構(3),箱式真空鍍膜室內由左至右間隔設有多排平面磁控濺射靶(4),其中左、右兩排為單面濺射平面磁控濺射靶(41)、左右兩排之間的為雙面濺射平面磁控濺射靶(42),相鄰排平面磁控濺射靶(4)之間形成有鍍膜通道(5),所述多排平面磁控濺射靶(4)的前、后兩側分別設有水冷托板(6),水冷托板(6)的外側設有傳動輥(7),傳動輥(7)位于相鄰兩排平面磁控濺射靶之間的位置;所述基膜放卷機構(2)裝設的基膜繞經所述傳動輥(7)后從所述的鍍膜通道(5)通過并由所述基膜收卷糾偏機構(3)進行糾偏后收卷。
2.如權利要求1所述的連續式真空離子鍍膜機,其特征在于:所述單面濺射平面磁控濺射靶(41)包括平面磁控濺射靶本體(410)和裝于平面磁控濺射靶本體外側的屏蔽罩(411),平面磁控濺射靶本體(410)具有靶體(412),靶體上裝有磁靴(413),在磁靴(413)的一側均布裝有多排第一永久磁體(414)、多排第一永久磁體的外側與所述屏蔽罩(411)之間依序裝有第一靶材隔水板(415)和第一靶材(416),所述雙面濺射平面磁控濺射靶(42)包括所述的平面磁控濺射靶本體(410)和裝于該平面磁控濺射靶本體外側的屏蔽罩(411),在所述磁靴(413)相對的另一側均布裝有多排第二永久磁體(424),多排第二永久磁體的外側與所述屏蔽罩(411)之間依序裝有第二靶材隔水板(425)和第二靶材(426)。
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