[發明專利]一種阻變存儲器及其制作方法在審
| 申請號： | 201410822915.0 | 申請日： | 2014-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN105789433A | 公開（公告）日： | 2016-07-20 |
| 發明（設計）人： | 趙鴻濱;屠海令 | 申請（專利權）人： | 北京有色金屬研究總院 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100 | 代理人： | 劉秀青;熊國裕 |
| 地址： | 100088 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 存儲器 及其 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種阻變存儲器，其特征在于，該阻變存儲器包括底電極、頂電極以及 位于底電極和頂電極之間的Al2O3-x阻變存儲層，其中0.6＜x＜2.4。
2.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述Al2O3-x阻變存儲 層的厚度為18nm-230nm。
3.根據權利要求1或2所述的阻變存儲器，其特征在于，所述底電極和頂 電極的厚度為25nm-350nm。
4.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述底電極為單質金 屬、合金、或導電的氧化物或氮化物。
5.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述頂電極為單質金 屬、合金、或導電的氧化物或氮化物。
6.根據權利要求4或5所述的阻變存儲器，其特征在于：所述單質金屬為 Al、Pt、Au、W、Ag、Ti或Ta；所述合金金屬為Au-Ni、Al-Ni、Au-Ti；所述 導電的氧化物為ITO或IZGO；所述導電的氮化物為AlN或TiN。
7.一種權利要求1-6中任一項所述阻變存儲器的制作方法，其特征在于， 包括以下步驟：(1)襯底的清洗；(2)采用磁控濺射法在襯底上形成底電極； (3)采用磁控濺射法在底電極上沉積Al2O3-x阻變存儲層；(4)采用磁控濺射 法在Al2O3-x阻變存儲層上形成頂電極。
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