[發明專利]肖特基勢壘二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201410822182.0
• 申請日: 2014-12-25
• 公開（公告）號: CN104576762B
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 李誠瞻;劉可安;吳煜東;楊勇雄;史晶晶;蔣華平;唐龍谷;趙艷黎;吳佳
• 申請（專利權）人: 株洲南車時代電氣股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 朱繪;張文娟

1.一種肖特基勢壘二極管，包括：

N型碳化硅襯底；

位于所述N型碳化硅襯底上的低摻雜N型外延層；

位于所述低摻雜N型外延層上的高摻雜N型外延層；

位于所述低摻雜N型外延層和所述高摻雜N型外延層中的P型高摻雜區；

位于所述高摻雜N型外延層上的肖特基接觸電極；

位于所述N型碳化硅襯底下方的歐姆接觸電極；

其中，所述高摻雜N型外延層的摻雜濃度比所述低摻雜N型外延層的摻雜濃度高一個數量級以上，高摻雜N型外延層的摻雜濃度為10¹⁶原子/cm³量級至10¹⁷原子/cm³量級，所述高摻雜N型外延層的厚度設置為10納米以下，小于電子平均自由程，所述P型高摻雜區的摻雜濃度為10¹⁸原子/cm³量級至10¹⁹原子/cm³量級。

2.一種肖特基勢壘二極管的制造方法，包括：

在N型碳化硅襯底上形成低摻雜N型外延層；

在所述低摻雜N型外延層上形成高摻雜N型外延層；

在所述低摻雜N型外延層和所述高摻雜N型外延中形成P型高摻雜區；

在所述高摻雜N型外延層上形成肖特基接觸電極；

在所述N型碳化硅襯底下方形成歐姆接觸電極；

其中，所述高摻雜N型外延層的摻雜濃度比所述低摻雜N型外延層的摻雜濃度高一個數量級以上，所述高摻雜N型外延層的摻雜濃度為10¹⁶原子/cm³量級至10¹⁷原子/cm³量級，所述高摻雜N型外延層的厚度設置為10納米以下，小于電子平均自由程，所述P型高摻雜區的摻雜濃度為10¹⁸原子/cm³量級至10¹⁹原子/cm³量級。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述低摻雜N型外延層上形成高摻雜N型外延層，具體為：

通過外延生長工藝，在所述低摻雜N型外延層上形成高摻雜N型外延層。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述低摻雜N型外延層上形成高摻雜N型外延層，具體為：

通過離子注入工藝，在所述低摻雜N型外延層上形成高摻雜N型外延層。