[發明專利]抑制高頻隔離型全橋電路動態偏磁的電路結構及控制方法

有效

• 申請號: 201410822077.7
• 申請日: 2014-12-24
• 公開（公告）號: CN104539146A
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: 畢大強;柴建云;孫旭東;趙楊陽
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H02M1/32
• 分類號: H02M1/32
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 朱琨

1.一種抑制高頻隔離型全橋電路動態偏磁的電路結構，其特征在于，由交錯并聯BuckBoost電路、高頻隔離雙向全橋DC/DC變換器電路組成；其中，交錯并聯BuckBoost電路包含電容C1和C2、電感L1和L2、開關管S1至S4、二極管D1至D4；高頻隔離雙向全橋DC/DC變換器電路為在高頻變壓器T1的初級端連接接成橋式結構的自帶反并二極管的開關管Sa1至Sa4，次級端連接接成橋式結構的自帶反并二極管的開關管Sb1至Sb4；次級端連接的橋式結構的上下橋臂之間并聯高壓直流母線電容C3。

2.根據權利要求1所述的電路結構，其特征在于，所述交錯并聯BuckBoost電路中的電容C1的一端與電感L1和L2的一端相連，電感L1的另一端與開關管S2的源極以及開關管S4的漏極相連，S4的源極與電容C2的一端相連，電感L2的另一端與開關管S1的源極以及開關管S3的漏極相連，開關管S3的源極與電容C2的一端相連，電容C1的另一端與開關管S1的漏極、開關管S2的漏極以及電容C2的另一端相連，電容C2與高頻變壓器T1的初級端連接的橋式結構的上下橋臂并聯。

3.一種抑制高頻隔離型全橋電路動態偏磁的控制方法，其特征在于，包括：

步驟1、啟動高頻隔離雙向全橋DC/DC變換器電路時采用固定2％的小占空比開環方式為高頻變壓器T1做磁鍛煉，使其剩磁趨于零；

步驟2、連續采樣高頻變壓器T1的電流信號并對其做時間積分，從而避免因開關周期內正反方向微小的伏秒積不平衡經時間積分效應后導致的穩態偏磁；

步驟3、當變換器電路的電流指令的變化率小于高頻變壓器動態偏磁閥值時，高頻隔離雙向全橋DC/DC變換器電路工作在電流閉環狀態下，而交錯并聯BuckBoost電路工作在50％占空比開環運行狀態下，并能實現最小電流紋波輸出；

步驟4、當變換器電路的電流指令的變化率大于等于高頻變壓器動態偏磁閥值時，高頻隔離雙向全橋DC/DC變換器電路維持在當前占空比下開環工作，而交錯并聯BuckBoost電路工作在電流快速閉環狀態下，從而快速改變變換器電路的輸出功率。