[發(fā)明專利]一種金屬-樹(shù)脂復(fù)合體及其制備方法和一種電子產(chǎn)品外殼

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410821840.4
• 申請(qǐng)日: 2014-12-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105522684B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 章曉;陶樂(lè)天;孫劍;陳梁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號(hào): B29C45/14
• 分類號(hào): B29C45/14;C23F1/38;H05K5/02
• 代理公司: 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 李婉婉;金迪

1.一種金屬-樹(shù)脂復(fù)合體的制備方法，所述金屬為鈦或鈦合金，該方法由蝕刻步驟和注入成型步驟組成：

在蝕刻步驟中，將金屬基材浸泡于蝕刻液中，在所述金屬基材的表面形成凹坑，得到經(jīng)表面處理的金屬基材，所述蝕刻液含有至少一種堿金屬氫氧化物，所述蝕刻的條件使得得到的經(jīng)表面處理的金屬基材的表層氧元素含量為1-10重量％；

在注入成型步驟中，向蝕刻步驟得到的經(jīng)表面處理的金屬基材表面注入一種含樹(shù)脂的組合物并使部分組合物填充于所述凹坑中，成型后形成樹(shù)脂層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述堿金屬氫氧化物為氫氧化鈉和/或氫氧化鉀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述蝕刻液中，堿金屬氫氧化物的濃度為1-10mol/L。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述蝕刻液還含有至少一種緩沖劑，所述緩沖劑能夠穩(wěn)定蝕刻液中氫氧根離子的濃度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述緩沖劑為選自硼酸、硼酸鈉、碳酸鈉、碳酸二氫鈉、磷酸三鈉、磷酸氫二鈉和檸檬酸鈉中的一種或兩種以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述緩沖劑的濃度為0.1-1.5mol/L。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述蝕刻液還含有至少一種緩沖劑，所述緩沖劑能夠穩(wěn)定蝕刻液中氫氧根離子的濃度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述緩沖劑為選自硼酸、硼酸鈉、碳酸鈉、碳酸二氫鈉、磷酸三鈉、磷酸氫二鈉和檸檬酸鈉中的一種或兩種以上。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述緩沖劑的濃度為0.1-1.5mol/L。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述蝕刻液的溫度為15-70℃。

11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述蝕刻液的溫度為15-70℃。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述蝕刻步驟中的蝕刻條件使得得到的經(jīng)表面處理的金屬基材表面形成有凹坑，所述凹坑的寬度為10-100000nm；所述凹坑的深度為10-5000nm。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述蝕刻步驟中的蝕刻條件使得得到的經(jīng)表面處理的金屬基材表面形成有凹坑，所述凹坑的寬度為300-30000nm；所述凹坑的深度為100-3000nm。

14.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述蝕刻步驟中的蝕刻條件使得得到的經(jīng)表面處理的金屬基材表面形成有凹坑，所述凹坑的寬度為10-100000nm；所述凹坑的深度為10-5000nm。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述蝕刻步驟中的蝕刻條件使得得到的經(jīng)表面處理的金屬基材表面形成有凹坑，所述凹坑的寬度為300-30000nm；所述凹坑的深度為100-3000nm。

16.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述蝕刻步驟中的蝕刻條件使得得到的經(jīng)表面處理的金屬基材表層的氧元素含量為2-8重量％。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述蝕刻步驟中的蝕刻條件使得得到的經(jīng)表面處理的金屬基材表層的氧元素含量為5-7重量％。

18.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述蝕刻步驟中的蝕刻條件使得得到的經(jīng)表面處理的金屬基材表層的氧元素含量為2-8重量％。