[發(fā)明專利]經(jīng)表面處理的金屬基材和金屬-樹脂復(fù)合體及制備方法和應(yīng)用以及電子產(chǎn)品外殼及制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410820937.3 | 申請日： | 2014-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN105522781A | 公開（公告）日： | 2016-04-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孫劍;吳彥琴;夏艷俠;陳梁 | 申請（專利權(quán)）人： | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號： | B32B15/08 | 分類號： | B32B15/08;B32B27/06;B29C45/14 |
| 代理公司： | 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人： | 李婉婉;金迪 |
| 地址： | 518118 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 表面 處理 金屬 基材 樹脂 復(fù)合體 制備 方法 應(yīng)用 以及 電子產(chǎn)品 外殼 | ||
1.一種經(jīng)表面處理的金屬基材，所述金屬為鋁或鋁合金，該金屬基材包括金屬基 體以及形成于所述金屬基體的至少部分表面上的微弧氧化膜層，所述微弧氧化膜層的表 面分布有第一腐蝕孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)表面處理的金屬基材，其中，所述第一腐蝕孔的孔徑 在10-200nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在50-200nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在80-200nm的范圍內(nèi)，進(jìn) 一步優(yōu)選在100-200nm的范圍內(nèi)；所述第一腐蝕孔的深度與所述微弧氧化膜層的厚度的 比值在0.1-1：1的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.2-1：1的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.5-1：1的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的經(jīng)表面處理的金屬基材，其中，至少部分第一腐蝕 孔的深度與所述微弧氧化膜層的厚度的比值為1：1，優(yōu)選50％以上的第一腐蝕孔的深度 與所述微弧氧化膜層的厚度的比值為1：1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項所述的經(jīng)表面處理的金屬基材，其中，所述金屬基 體包括基體層和腐蝕層，所述基體層與所述腐蝕層為一體結(jié)構(gòu)，所述腐蝕層與所述微弧 氧化膜層相接并為一體結(jié)構(gòu)，所述腐蝕層的表面分布有第二腐蝕孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的經(jīng)表面處理的金屬基材，其中，所述第二腐蝕孔的孔徑 在200-2000nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在300-2000nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在800-1500nm的范圍 內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的經(jīng)表面處理的金屬基材，其中，所述第二腐蝕孔的 深度在0.1-500μm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在10-400μm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在50-200μm的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4-6中任意一項所述的經(jīng)表面處理的金屬基材，其中，所述基體層 為致密層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任意一項所述的經(jīng)表面處理的金屬基材，其中，所述微弧氧 化膜層的厚度在0.1-500μm的范圍內(nèi)。
9.一種金屬基材的表面處理方法，所述金屬為鋁或鋁合金，該方法包括提供金屬 基材，所述金屬基材包括金屬基體以及形成于所述金屬基體的至少部分表面的微弧氧化 膜層；將所述金屬基材進(jìn)行第一蝕刻，以在所述微弧氧化膜層中形成第一腐蝕孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第一蝕刻的條件使得所述第一腐蝕孔 的孔徑在10-200nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在50-200nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在80-200nm的范圍 內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在100-200nm的范圍內(nèi)；所述第一腐蝕孔的深度與所述微弧氧化膜層的 厚度的比值在0.1-1：1的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.2-1：1的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.5-1：1的范圍 內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其中，所述第一蝕刻的條件使得至少部分 第一腐蝕孔的深度與所述微弧氧化膜層的厚度的比值為1：1，優(yōu)選50％以上的第一腐蝕 孔的深度與所述微弧氧化膜層的厚度的比值為1：1。
12.根據(jù)權(quán)利要求9-11中任意一項所述的方法，其中，所述第一蝕刻包括：將所述 金屬基材浸泡于堿性蝕刻液中。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述堿性蝕刻液為含有選自水溶性氫氧 化物、水溶性堿性鹽、氨、水溶性胺、肼以及一個或多個氫原子被烴基取代的肼衍生物 中的一種或兩種以上物質(zhì)的水溶液。
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