[發明專利]摻Pb2+離子高溫相偏硼酸鋇晶體及其生長方法和用途在審
| 申請號： | 201410820085.8 | 申請日： | 2014-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN104532350A | 公開（公告）日： | 2015-04-22 |
| 發明（設計）人： | 萬松明;馮德玄;唐小路;張波 | 申請（專利權）人： | 中國科學院合肥物質科學研究院 |
| 主分類號： | C30B29/22 | 分類號： | C30B29/22;C30B15/00;C30B17/00;C30B11/00;G02B1/00 |
| 代理公司： | 安徽合肥華信知識產權代理有限公司34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | pb2 離子 高溫 硼酸 晶體 及其 生長 方法 用途 | ||
【權利要求書】：
1.一種摻Pb2+離子高溫相偏硼酸鋇晶體，其特征在于：該晶體的化學式為PbxBa1-xB2O4，其中x為Pb2+離子替代Ba2+離子的比例，其取值范圍為0.005≦x≦0.05。
2.一種如權利要求1所述的摻Pb2+離子高溫相偏硼酸鋇晶體的生長方法，其特征在于：可采用提拉法、泡生法和布里奇曼法生長，所采用的生長原料的組成為PbxBa1-xB2O4或添加過量B2O3的PbxBa1-xB2O4，所述過量的B2O3?不超過等化學計量比PbxBa1-xB2O4原料中B2O3含量的10?mol%。
3.如權利要求1所述的摻Pb2+離子高溫相偏硼酸鋇晶體的用途，其特征在于：可用于制作格蘭型棱鏡、渥拉斯頓棱鏡、薩那芒特棱鏡、洛匈棱鏡等光束分離偏振器件，以及相位延遲和光學補償器件。
4.如權利要求1?所述的摻Pb2+離子高溫相偏硼酸鋇晶體的用途，其特征在于：可用于紫外－可見－近紅外波段激光變頻；將至少一束激光，通過至少一塊摻Pb2+離子α-BaB2O4晶體后，產生至少一束頻率不同于入射激光頻率的新波長激光。
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