[發明專利]高光功率密度LED光源模塊

在審

• 申請號: 201410818531.1
• 申請日: 2014-12-24
• 公開（公告）號: CN104534421A
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: 盧鵬志;楊華;鄭懷文;薛斌;李璟;王國宏;王軍喜;李晉閩
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: F21V23/00
• 分類號: F21V23/00;F21V29/51;F21V7/22;F21Y101/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種高光功率密度LED光源模塊，包括：

一基板，該基板的中間有一凹槽；

多個LED發光芯片，該多個LED發光芯片制作在基板上的凹槽內，組成LED發光芯片陣列；

一遠程熒光粉層，該遠程熒光粉層制作在基板凹槽的上方；

一散熱器，該散熱器為一槽體，該散熱器固定在基板的下方，該散熱器與基板之間形成一個密封的空腔，空腔內部注有相變散熱的液體，用于散發多個LED發光芯片的熱能。

2.根據權利要求1所述的高光功率密度LED光源模塊，其中所述基板上的凹槽表面制作有電路層，基板的材料為銅、鋁或氮化鋁陶瓷。

3.根據權利要求1所述的高光功率密度LED光源模塊，其中所述多個LED發光芯片是由多個大尺寸大功率LED芯片經過串聯、并聯或串并聯結合而成，單個大尺寸大功率LED發光芯片的尺寸大于2mm*2mm，單個LED發光芯片的工作功率大于5W，LED發光芯片是正裝，垂直或者倒裝結構芯片。

4.根據權利要求3所述的高光功率密度LED光源模塊，其中LED發光芯片的數量為四個以上，是同一種單波長大尺寸大功率LED芯片或是多種波長大尺寸大功率LED芯片組合。

5.根據權利要求3所述的高光功率密度LED光源模塊，其中置放在基板凹槽內的多個LED發光芯片，是通過金絲壓焊、倒裝焊接或者共晶焊接的方法實現與基板表面電路的電連接。

6.根據權利要求1所述的高光功率密度LED光源模塊，其中遠程熒光粉層是受LED發光芯片發射波長激發的熒光玻璃、透明熒光陶瓷或是固化有熒光粉膠層的高透光率的石英玻璃。

7.根據權利要求6所述的高光功率密度LED光源模塊，其中遠程熒光粉層為固化有熒光粉膠層的高透光率的石英玻璃時，用來混合熒光粉的膠體為高透光率高折射率的硅膠或者環氧樹脂。

8.根據權利要求1所述的高光功率密度LED光源模塊，其中散熱器與基板密封連接形成密閉的空腔。

9.根據權利要求8所述的高光功率密度LED光源模塊，其中散熱器與基板之間空腔內部注有的相變散熱的液體為，水或液態金屬。

10.根據權利要求9所述的高光功率密度LED光源模塊，其中該液體與基板的背面直接接觸。