[發明專利]包括光吸收層的有機發光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201410817977.2
• 申請日: 2014-12-24
• 公開（公告）號: CN105374845B
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 林定植;趙銀美;尹圣經
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種顯示裝置，該顯示裝置包括：

多個像素，其中多條選通線分別與多條數據線交叉，各個所述像素包括薄膜晶體管TFT區域和顯示區域；

TFT，該TFT形成在所述TFT區域中；

發光元件，所述發光元件形成在所述顯示區域中，以用于基于來自所述TFT的信號顯示圖像；

金屬層，該金屬層被設置在所述TFT區域中以用于所述TFT的電連接；以及

光吸收層，該光吸收層被配置為吸收朝著所述金屬層傳播的光的至少一部分，

其中，所述光吸收層被設置在所述金屬層和基板之間，或者被設置在柵極和基板之間。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述金屬層是所述TFT的源電極和漏電極中的至少一個。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述金屬層是設置在所述TFT與所述光吸收層之間的光屏蔽層。

4.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，在所述TFT區域中沒有設置偏振層，并且所述光是非偏振光。

5.根據權利要求1所述的顯示裝置，該顯示裝置還包括相位補償層，該相位補償層被配置為調節朝著所述金屬層傳播的光的相位并被設置在所述光吸收層上。

6.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述光吸收層被設置在所述TFT的柵電極與柵絕緣層之間。

7.根據權利要求6所述的顯示裝置，該顯示裝置還包括相位補償層，該相位補償層被配置為調節朝著所述金屬層傳播的光的相位并被設置在所述光吸收層與所述柵絕緣層之間。

8.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述光吸收層包括氧化銅、氧化鎳、氧化鉬和銅/鎳/鉬中的兩種或更多種。

9.根據權利要求5所述的顯示裝置，其中，所述相位補償層包括SiN、IGZO和ITO中的至少一種。

10.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述金屬層是所述TFT的電連接線或電極。

11.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述光吸收層包含復反射率的消光系數為0.4或更大的金屬。

12.根據權利要求5所述的顯示裝置，其中，所述相位補償層的厚度與所述光的波長成正比，并且與所述光吸收層的折射率成反比。

13.一種制備顯示裝置的方法，該顯示裝置包括多個像素，其中多條選通線分別與多條數據線交叉，各個所述像素包括薄膜晶體管TFT區域和顯示區域，所述方法包括以下步驟：

在所述薄膜晶體管TFT區域中形成TFT；以及

在所述顯示區域中形成用于基于來自所述TFT的信號顯示圖像的發光元件，

其中，金屬層被設置在所述TFT區域中以用于所述TFT的電連接；并且

其中，被配置為吸收朝著所述金屬層傳播的光的至少一部分的光吸收層被設置在所述金屬層和基板之間，或者被設置在柵極和基板之間。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述金屬層是所述TFT的源電極和漏電極中的至少一個。

15.根據權利要求13所述的方法，其中，所述金屬層是被設置在所述TFT與所述光吸收層之間的光屏蔽層。

16.根據權利要求13所述的方法，其中，被配置為調節所述光的相位的相位補償層被設置在所述光吸收層上，并且

其中，所述光吸收層被設置在所述TFT的柵電極與柵絕緣層之間。

17.根據權利要求13所述的方法，其中，所述金屬層和所述光吸收層是利用相同的掩模形成的。

18.根據權利要求16所述的方法，其中，所述金屬層、所述光吸收層和所述相位補償層是利用相同的掩模形成的。