[發明專利]一種具有透明電極的銦鎵砷光電探測器在審
| 申請號： | 201410817679.3 | 申請日： | 2014-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN104538466A | 公開（公告）日： | 2015-04-22 |
| 發明（設計）人： | 胡雙元;朱忻;帕勒布.巴特查亞;常瑞華;和田修 | 申請（專利權）人： | 蘇州矩陣光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;H01L31/101 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人： | 張建綱 |
| 地址： | 215614 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 透明 電極 銦鎵砷 光電 探測器 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有透明電極的銦鎵砷光電探測器，包括從下而上設置的背金屬電極、N型InP襯底、非摻雜InP緩沖層、本征InGaAs吸收層、P型InP帽層、正電極和鈍化層，其特征在于：所述正電極為透明電極，由石墨烯構成，通過化學氣相沉積轉移法制備。
2.如權利要求1所述的一種具有透明電極的銦鎵砷光電探測器，其特征在于：所述正電極上有一個端點，壓焊區金屬通過此端點與石墨烯接觸。
3.如權利要求1所述的一種具有透明電極的銦鎵砷光電探測器，其特征在于：所述的石墨烯為單層石墨烯或多層石墨烯。
4.如權利要求1所述的一種具有透明電極的銦鎵砷光電探測器，其特征在于：所述的InGaAs光電探測器為臺面型光電探測器或者平面型光電探測器。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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