[發明專利]采用側壁等離激元技術提高紫外發光二極管效率的方法在審
| 申請號： | 201410817187.4 | 申請日： | 2014-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN104465905A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發明（設計）人： | 孫莉莉;張韻;閆建昌;王軍喜;李晉閩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 采用 側壁 離激元 技術 提高 紫外 發光二極管 效率 方法 | ||
1.一種采用側壁等離激元技術提高紫外發光二極管效率的方法，包括：
步驟1：在基底上依次生長AlN緩沖層、n型AlGaN層、AlGaN有源區、AlGaN電子阻擋層、p型AlGaN層和p型InGaN電極接觸層；
步驟2：從所述p型InGaN電極接觸層頂部開始向下刻蝕，刻蝕深度至n型AlGaN層內，形成發光二極管pn結脊形結構及其兩側的臺面；
步驟3：在所述臺面上制作n型接觸電極；
步驟4：在所述脊形結構上的p型InGaN電極接觸層上制作p型接觸電極；
步驟5：在脊形結構及兩側臺面上沉積電絕緣層，該電絕緣層覆蓋n型接觸電極和p型接觸電極；
步驟6：在n型接觸電極和p型接觸電極的上方，分別形成上電極窗口區和下電極窗口區；
步驟7：在所述上電極窗口區及兩側的電絕緣層制作上電極層；
步驟8：在所述下電極窗口區上制作下電極層，完成方法的制作。
2.如權利要求1所述的采用側壁等離激元技術提高紫外發光二極管效率的方法，其中所述的基底的材料為藍寶石、SiC、AlN或Si。
3.如權利要求1所述的采用側壁等離激元技術提高紫外發光二極管效率的方法，其中所述紫外發光二極管的波長為210nm-400nm。
4.如權利要求1所述的采用側壁等離激元技術提高紫外發光二極管效率的方法，其中所述的p型InGaN電極接觸層的厚度為5nm-1000nm。
5.如權利要求1所述的采用側壁等離激元技術提高紫外發光二極管效率的方法，其中所述的絕緣層的材料為氧化硅或氮化硅，其厚度小于金屬等離激元的耦合距離。
6.如權利要求1所述的采用側壁等離激元技術提高紫外發光二極管效率的方法，其中所述的下電極層的最底層金屬為Al或Pt具有高體等離激元能量的金屬，其等離激元能量位于紫外發光區域。
7.如權利要求1所述的采用側壁等離激元技術提高紫外發光二極管效率的方法，其中所述的電絕緣層的厚度小于下電極層最底層金屬的等離激元耦合距離。
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