[發(fā)明專利]記錄介質(zhì)及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410815686.X | 申請日： | 2014-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN104723715A | 公開（公告）日： | 2015-06-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 小栗勲;仁藤康弘;荒木和彥 | 申請（專利權(quán)）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | B41M5/52 | 分類號： | B41M5/52 |
| 代理公司： | 北京魏啟學(xué)律師事務(wù)所 11398 | 代理人： | 魏啟學(xué) |
| 地址： | 日本東京都大*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 記錄 介質(zhì) 及其 制造 方法 | ||
1.一種記錄介質(zhì)，其特征在于，其包括在基材的一面上依次設(shè)置的第一樹脂層、多孔底涂層和第一墨接收層并且包括在所述基材的另一面上依次設(shè)置的第二樹脂層和第二墨接收層，
其中，所述第一樹脂層的更接近所述第一墨接收層的面和所述第二樹脂層的更接近所述第二墨接收層的面的60°鏡面光澤度各自為65％以上，和
其中，所述多孔底涂層具有3μm以下的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中所述多孔底涂層的孔容積Vs和所述第一墨接收層的孔容積Vc滿足以下表達(dá)式(1)：
0.7Vc<Vs<1.3Vc??(1)，
其中所述Vs和所述Vc的單位為ml/g。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中所述多孔底涂層以0.1質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下的含量進(jìn)一步包含具有0.5μm以上的平均二次粒徑的顆粒。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中所述多孔底涂層具有15nm以上的平均孔半徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中所述多孔底涂層的平均孔半徑小于所述第一墨接收層的平均孔半徑。
6.一種記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，其包括：
在基材的一面上形成具有65％以上的60°鏡面光澤度的第一樹脂層并且在所述基材的另一面上形成具有65％以上的60°鏡面光澤度的第二樹脂層；
在所述第一樹脂層上形成具有3μm以下的厚度的多孔底涂層；
將設(shè)置有所述第一和第二樹脂層以及所述多孔底涂層的基材卷繞成卷形物；和
將所述基材卷繞成卷形物后，在所述基材的所述多孔底涂層上形成第一墨接收層并且在所述基材的所述第二樹脂層上形成第二墨接收層。
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