[發明專利]薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示裝置

在審

• 申請號: 201410815652.0
• 申請日: 2015-08-04
• 公開（公告）號: CN104505404A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發明（設計）人: 王祖強;劉建宏;詹裕程;皇甫魯江
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

1.一種薄膜晶體管制備方法，包括形成柵極、源極、漏極和有源層的步驟，形成所述有源層包括采用晶化工藝使非晶硅轉化為多晶硅的步驟，其特征在于，

在晶化工藝之前，在非晶硅層的上方形成功能層，所述功能層具有與所述有源層相同的圖形；

在晶化工藝過程中，使所述非晶硅層在所述功能層圖形的對應區域與非所述功能層圖形的對應區域之間形成熱持溫時間差異和壓力差異，使得由所述非晶硅層轉化的多晶硅層中，所述功能層圖形對應的區域的晶粒比非所述功能層圖形對應的區域的晶粒大。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管制備方法，其特征在于，所述功能層采用非金屬材料形成，所述非金屬材料包括氧化硅或氮化硅。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管制備方法，其特征在于，所述功能層的厚度范圍為5-20nm。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管制備方法，其特征在于，形成所述有源層的具體步驟包括：

S1)：形成所述非晶硅層和功能薄膜；

S2)：采用用于形成所述有源層圖形的掩模板，對所述功能薄膜進行構圖工藝，形成具有與所述有源層相同的圖形的所述功能層；

S3)：對所述非晶硅層進行晶化，使所述非晶硅層轉換為所述多晶硅層；

S4)：去除所述功能層；

S5)：采用一次構圖工藝，在所述多晶硅層中形成包括所述有源層的圖形。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管制備方法，其特征在于，在S3)中采用準分子激光退火工藝對所述非晶硅層進行晶化，使所述非晶硅層轉換為所述多晶硅層。

6.根據權利要求4所述的薄膜晶體管制備方法，其特征在于，在S4)中通過刻蝕工藝去除所述功能層。

7.根據權利要求1-6任一項所述的薄膜晶體管制備方法，其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵型或底柵型。

8.一種薄膜晶體管，其特征在于，采用權利要求1-7任一項所述的薄膜晶體管制備方法形成。

9.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求8所述的薄膜晶體管。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求9所述的陣列基板。