[發明專利]線路板的制造方法有效
| 申請號: | 201410815434.7 | 申請日: | 2014-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN105789057B | 公開(公告)日: | 2019-05-10 |
| 發明(設計)人: | 張啟民 | 申請(專利權)人: | 欣興電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;叢芳 |
| 地址: | 中國臺灣桃園縣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 線路板 制造 方法 | ||
本發明公開了一種線路板制造方法與線路板,該線路板的制作方法,包含下列步驟:在基板上形成第一圖案化金屬層。在第一圖案化金屬層上設置金屬板;激光加工金屬板,使得部分的金屬板熔融后附著于第一圖案化金屬層上而形成第二金屬層;移除金屬板;填入介電層,其中介電層覆蓋于基板、第一圖案化金屬層以及第二金屬層之上。根據本發明的線路板制造方法與線路板,由于只有部分金屬板受到激光照射,因此線路板中的局部線路被增厚。
技術領域
本發明涉及一種線路板制造方法與線路板,特別涉及一種具有厚銅線路的線路板制造方法與線路板。
背景技術
隨著科技發展不斷的進步,電子產品的主要發展趨勢已經走向更輕更薄的設計。而于電子產品之中,其內部的電子元件需要通過線路板作整合。此外,線路板同時也需要具備高布線密度、細線寬、組裝性良好的特性,以配合更輕薄的電子產品設計。而線路板的發展中,線路板除了需具備上述的特性之外,也需要考慮到電子元件的散熱問題,使得線路板開始有將內部線路增厚以通過線路導熱的需求。
然而,當將線路板的線路增厚以制作成厚銅線路時,因厚銅線路的設計與蝕刻能力具有相關性,使得厚銅線路的良率成為一個潛在問題。例如,當蝕刻工藝的蝕刻深度無法達到厚銅線路的需求時,厚銅線路之間將會有不預期的形狀,并進而影響良率。
發明內容
本發明的一個目的在于提供一種線路板的制作方法,當金屬板置于視為金屬線路的第一圖案化金屬層上后,對金屬板進行激光加工,使得金屬板熔融后附著于其下的第一圖案化金屬層,并與此第一圖案化金屬層共同成為厚銅線路。此外,激光頭只對有厚銅線路設計需求的部分金屬板進行激光加工,使得線路板中可以只有局部線路被增厚為厚銅線路。
本發明的一個實施方式提供一種線路板的制作方法,包含下列步驟。在基板上形成第一圖案化金屬層。在第一圖案化金屬層上設置金屬板。激光加工金屬板,使得部分的金屬板熔融后附著于第一圖案化金屬層上而形成第二金屬層。移除金屬板。填入介電層,其中介電層覆蓋于基板、第一圖案化金屬層以及第二金屬層之上。
本發明的一個實施方式提供一種線路板的制作方法,包含下列步驟。形成第一圖案化金屬層并內埋于基板。在第一圖案化金屬層上設置金屬板。激光加工金屬板,使得部分的金屬板熔融后附著于第一圖案化金屬層上而形成第二金屬層。移除金屬板。填入介電層,其中介電層覆蓋于基板、第一圖案化金屬層以及第二金屬層之上。
在部分實施方式中,線路板的制作方法還包含蝕刻或刷磨介電層以暴露出第二金屬層。
在部分實施方式中,線路板的制作方法還包含通過激光加工修飾第二金屬層的形狀。
在部分實施方式中,金屬板包含第一金屬粉料以及第二金屬粉料,第一金屬粉料的熔點大于第二金屬粉料的熔點,且第一金屬粉料的粒徑小于或等于第二金屬粉料的粒徑。
在部分實施方式中,第一圖案化金屬層與附著于第一圖案化金屬層上的第二金屬層之厚度總和與寬度的比值大于等于1。
在部分實施方式中,線路板的制作方法還包含下列步驟。在第二金屬層上設置金屬板。激光加工金屬板,使得部分的金屬板熔融后附著于部分的第二金屬層上。移除金屬板。
在部分實施方式中,第一圖案化金屬層投影至基板上的總面積大于第二金屬層投影至基板上的總面積。
本發明的一個實施方式提供一種線路板,包含基板、第一金屬線路、第二金屬線路以以及介電層。第一金屬線路設置于基板上。第二金屬線路設置于基板上。第二金屬線路包含第一圖案化金屬層以及第二金屬層。第一圖案化金屬層設置于基板上,其中第一圖案化金屬層與第一金屬線路的厚度以及材料相同。第二金屬層設置于第一圖案化金屬層上,其中第一圖案化金屬層與第二金屬層的材料不同。介電層覆蓋于基板、第一金屬線路以及第二金屬線路上。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





