[發明專利]一種用于太陽能電池抗反射的薄膜及其太陽能電池模型有效
| 申請號: | 201410814373.2 | 申請日: | 2014-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN105789335B | 公開(公告)日: | 2018-10-09 |
| 發明(設計)人: | 聶犇;漆慕峰;趙婧;張坤;路春姣 | 申請(專利權)人: | 湖北聯合天誠防偽技術股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 張大威 |
| 地址: | 430056 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 太陽能電池 反射 薄膜 及其 模型 | ||
本發明公開了一種用于太陽能電池抗反射的薄膜,薄膜上印有納米結構,所述納米結構為能夠聚焦陽光的結構;本發明還公開了一種應用太陽能電池抗反射的薄膜的太陽能電池模型,包括上面板,下面板,納米結構、電池單元,電池單元上設置有保護層,納米結構覆壓在上面板或下面板上,電池單元覆壓在納米結構或面板的內面或外面,本發明提供的太陽能電池抗反射的薄膜能夠降低成本且太陽能轉換率大為提高。
技術領域
本發明涉及抗反射薄膜的技術領域,特別涉及一種太陽能電池抗反射的薄膜和應用太陽能電池抗反射薄膜的太陽能電池模型。
背景技術
目前,太陽能電池的應用已從軍事領域、航天領域進入工業、商業、農業、通信、家用電器以及公用設施等部門。尤其可以分散地在邊遠地區、高山、沙漠、海島和農村使用,以節省造價很貴的輸電線路。但是在目前階段,它的成本還很高,發出1kW電需要投資近萬美元。但是,從長遠來看,隨著太陽能電池制造技術的改進以及新的光—電轉換裝置的發明,各國對環境的保護和對再生清潔能源的巨大需求,太陽能電池將是利用太陽輻射能切實可行的方法,可為人類未來大規模地利用太陽能開辟廣闊的前景?,F有充電站直流快充樁功率多集中在60、100、150KW,無法滿足各類型電動車的充電需求。
中國對太陽能電池的研究起步于1958年,目前,中國已成為全球主要的太陽能電池生產國。2007年全國太陽能電池產量為1188MW,2008年的產量繼續提高,達到了200萬千瓦。2009年中國太陽能電池/模組制造商的產能較2008年倍增,達到8,000MW,電池產量超過4,000MW。中國已在生產制造方面取得重要地位,也將成為使用太陽能的大市場。2009年國家陸續出臺了太陽能屋頂計劃、金太陽工程等諸多補貼扶持政策,在政策的支持下中國有望像美國一樣,會啟動一個巨大的市場。未來10年晶體硅太陽能電池所占份額盡管會因薄膜太陽能電池的發展等原因而下降,但其主導地位仍不會根本改變;而薄膜電池如果能夠解決轉換效率不高、制備薄膜電池所用設備價格昂貴等問題,會有巨大的發展空間。
太陽能光伏發電在不遠的將來會占據世界能源消費的重要席位,不但要替代部分常規能源,而且將成為世界能源供應的主體。預計到2030年,可再生能源在總能源結構中將占到30%以上,而太陽能光伏發電在世界總電力供應中的占比也將達到10%以上;到2040年,可再生能源將占總能耗的50%以上,太陽能光伏發電將占總電力的20%以上;到21世紀末,可再生能源在能源結構中將占到80%以上,太陽能發電將占到60%以上。這些數字足以顯示出太陽能光伏產業的發展前景及其在能源領域重要的戰略地位。由此可以看出,太陽能電池市場前景廣闊。
太陽能電池薄膜是通過薄膜上特殊的微結構來實現增強太陽光入射減少反射,由此入射的太陽光就會最大限度的在薄膜和太陽能電池單元之間多次反射,實現多次吸收,大大增加一天內的能量吸收。就未來薄膜太陽能電池市場而言,以提高光電轉換效率達到降低太陽能電池發電成本是必要手段,故以CIGS薄膜太陽能電池模塊發展來看,國內要發展CIGS薄膜太陽能電池產業,必須同時發展量產設備及開發高效率CIGS薄膜模塊量產技術。
目前,太陽能電池的太陽能轉換率最高在15%左右,發明一種能夠降低成本且太陽能轉換率大為提高的太陽能電池薄膜具有重要的意義和商業價值。
發明內容
本發明旨在至少在一定程度上解決上述相關技術中的技術問題之一。
為此,本發明的目的是通過具有納米結構的抗反射的薄膜,最大限度的提高和集中被傳遞到太陽能電池中的光線,提高太陽能在太陽能電池上的利用率,減少能量的損失。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





