[發明專利]一種硅基微環偏振解復用器有效
| 申請號： | 201410812147.0 | 申請日： | 2014-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN104459879B | 公開（公告）日： | 2018-07-06 |
| 發明（設計）人： | 肖金標;徐銀 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | G02B6/12 | 分類號： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 楊曉玲 |
| 地址： | 210096 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 混合等離子體 波導 偏振解復用 輸出波導 微環 硅基微環 介質波導 輸入波導 橫磁模 橫電模 包層 襯底 波分復用系統 金屬覆蓋層 微環諧振器 波導連接 襯底表面 硅襯底 填充層 緊貼 兼容 制造 | ||
1.一種硅基微環偏振解復用器，包括硅襯底(6)和包層(7)，其特征在于，包括輸入波導(1)、橫磁模輸出波導(2)、橫電模輸出波導(3)、混合等離子體波導(4)和微環(5)；
襯底(6)位于包層(7)內底部，混合等離子體波導(4)和微環(5)位于襯底(6)表面；
所述混合等離子體波導(4)由下向上依次包括介質波導(41)、填充層(42)和金屬覆蓋層(43)；所述介質波導(41)緊貼襯底(6)；
輸入波導(1)通過混合等離子體波導(4)連接橫磁模輸出波導(2)；橫電模輸出波導(3)連接另一混合等離子體波導(4)，微環(5)位于兩混合等離子體波導(4)之間；
通過微環諧振可使得橫電模從下路橫電模輸出波導(3)輸出，其中的諧振波長λC，根據相位關系，需要滿足以下關系式：
式中L為微環的周長，neff為微環的模式有效折射率，m為一正整數。
2.如權利要求1所述的一種硅基微環偏振解復用器，其特征在于，所述介質波導(41)的高度與輸入波導(1)、橫磁模輸出波導(2)、橫電模輸出波導(3)和微環(5)的高度相同。
3.如權利要求2所述的一種硅基微環偏振解復用器，其特征在于，所述金屬覆蓋層(43)為與CMOS工藝兼容的材料。
4.如權利要求2所述的一種硅基微環偏振解復用器，其特征在于，所述填充層(42)為折射率小于2的材料。
5.如權利要求2所述的一種硅基微環偏振解復用器，其特征在于，所述橫磁模輸出波導(2)和橫電模輸出波導(3)的橫向尺寸相同。
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