[發(fā)明專利]基板處理裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410811437.3
• 申請日: 2014-12-19
• 公開（公告）號: CN104733352A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發(fā)明（設計）人: 宋炳奎;金勁勛;金龍基;申良湜;金蒼乭;申昌勛;金恩德
• 申請（專利權）人: 株式會社EUGENE科技
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王偉;安翔

1.一種基板處理裝置，包括：

腔室，所述腔室提供內(nèi)部空間，在所述內(nèi)部空間中，基板通過通道進行傳遞，并且在所述基板上進行處理，所述腔室具有將氣體供應至所述基板的供應口；以及

基座，所述基座安裝在所述內(nèi)部空間中，并且所述基座包括對所述基板進行加熱的加熱區(qū)域和對從所述供應口供應的氣體進行預加熱的預加熱區(qū)域。

2.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其中，所述預加熱區(qū)域的溫度比所述加熱區(qū)域的溫度高。

3.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其中，所述加熱區(qū)域的形狀對應于所述基板的形狀，并且

所述預加熱區(qū)域在與氣體的流動方向相垂直的方向上的長度大于所述基板的直徑。

4.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其中，所述加熱區(qū)域的中心偏離所述基座的中心，以設置成更靠近所述通道而不是更靠近所述供應口。

5.根據(jù)權利要求1或4所述的基板處理裝置，其中，所述基座包括：

子基座，所述子基座具有長方體形狀，并且包括偏離所述基座的中心的開口，所述子基座提供所述預加熱區(qū)域；以及

主基座，所述主基座插入到所述開口中，并提供所述加熱區(qū)域。

6.根據(jù)權利要求5所述的基板處理裝置，其中，所述子基座的熱膨脹系數(shù)低于所述主基座的熱膨脹系數(shù)。

7.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，進一步包括排氣口，所述排氣口設置在所述腔室中的如下部分處：該部分與所述腔室的設置所述供應口的部分相對，并且所述排氣口將穿過所述基板的氣體排出。

8.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其中，所述腔室提供具有長方體形狀的所述內(nèi)部空間，并且所述腔室的一側(cè)上設置有所述通道，另一側(cè)上設置有所述供應口。

9.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其中，所述加熱區(qū)域設置在所述基板下方，并且所述預加熱區(qū)域設置在所述加熱區(qū)域和所述供應口之間。

10.根據(jù)權利要求9所述的基板處理裝置，其中，所述預加熱區(qū)域設置在所述加熱區(qū)域和所述供應口之間，以允許氣體在所述加熱區(qū)域之前穿過所述預加熱區(qū)域。