[發明專利]OLED顯示器件及其制造方法在審
| 申請號: | 201410811215.1 | 申請日: | 2014-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN104538423A | 公開(公告)日: | 2015-04-22 |
| 發明(設計)人: | 李文輝;王宜凡 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種OLED顯示器件,其特征在于,包括:
基板(100);
設于所述基板(100)上的多個相互間隔且呈陣列式排布的第一電極(200);
設于所述基板(100)上且位于每相鄰兩個第一電極(200)之間的像素阻隔層(300);所述像素阻隔層(300)高出所述第一電極(200),并覆蓋所述第一電極(200)的部分上表面;每一像素阻隔層(300)的中部具有一凹槽(310),該凹槽(310)貫穿所述像素阻隔層(300);每相鄰兩個像素阻隔層(300)限定出的區域為一個像素區域;
設于所述第一電極(200)與像素阻隔層(300)上的OLED有機材料層(400);所述OLED有機材料層(400)在所述凹槽(310)處斷開;
及設于所述OLED有機材料層(400)上的第二電極(500);所述第二電極(500)同樣在所述凹槽(310)處斷開。
2.如權利要求1所述的OLED顯示器件,其特征在于,所述像素阻隔層(300)的材料為絕緣材料。
3.如權利要求1所述的OLED顯示器件,其特征在于,所述OLED有機材料層(400)包括:第一輔助發光層(401)、第二輔助發光層(403)、及設于第一、第二輔助發光層(401、403)之間的發光層(402)。
4.如權利要求3所述的OLED顯示器件,其特征在于,所述凹槽(310)內具有:設于所述基板(100)上的第一輔助發光層(401)、設于所述第一輔助發光層(401)上的第二輔助發光層(403)、設于所述第二輔助發光層(403)上的第二電極(500);所述凹槽(310)的深度足夠容納位于其內的第一輔助發光層(401)、第二輔助發光層(403)、及第二電極(500),從而位于所述凹槽(310)內最上層的第二電極(500)仍低于該凹槽(310)的上表面。
5.如權利要求3所述的OLED顯示器件,其特征在于,所述發光層(402)包括依次循環排列的紅色發光層(402R)、綠色發光層(402G)、藍色發光層(402B)。
6.如權利要求3所述的OLED顯示器件,其特征在于,所述第一電極(200)為陽極或陰極,相應的,所述第二電極(500)為陰極或陽極。
7.如權利要求6所述的OLED顯示器件,其特征在于,所述第一輔助發光層(401)包括空穴注入層與空穴傳輸層、或電子注入層與電子傳輸層,相應的,所述第二輔助發光層(403)包括電子注入層與電子傳輸層、或空穴注入層與空穴傳輸層。
8.一種OLED顯示器件的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1、提供一基板(100),在所述第一基板(100)上形成第一電極層,對所述第一電極層進行圖案化處理,形成多個相互間隔且呈陣列式排布的第一電極(200);
步驟2、在所述基板(100)上于每相鄰兩個第一電極(200)之間形成一個像素阻隔層(300),對每一像素阻隔層(300)進行圖案化處理,在其中部形成貫穿所述像素阻隔層(300)的凹槽(310);
所述像素阻隔層(300)高出所述第一電極(200),并覆蓋所述第一電極(200)的部分上表面;每相鄰兩個像素阻隔層(300)限定出的區域為一個像素區域;
步驟3、在所述第一電極(200)與像素阻隔層(300)上依次形成第一輔助發光層(401)、發光層(402)、及第二輔助發光層(403),所述第一、第二輔助發光層(401、403)及夾設于二者之間的發光層(402)構成OLED有機材料層(400);同時在所述凹槽(310)內依次形成設于所述基板(100)上的第一輔助發光層(401)、設于所述第一輔助發光層(401)上的第二輔助發光層(403);
位于所述第一電極(200)與像素阻隔層(300)上的第一、第二輔助發光層(401、403)與位于所述凹槽(310)內的第一、第二輔助發光層(401、403)在所述凹槽(310)處自然斷開;
步驟4、在所述第二輔助發光層(403)上形成第二電極(500),所述第二電極(500)同樣在所述凹槽(310)處自然斷開;
所述凹槽(310)的深度足夠容納位于其內的第一輔助發光層(401)、第二輔助發光層(403)、及第二電極(500),從而位于所述凹槽(310)內最上層的第二電極(500)仍低于該凹槽(310)的上表面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





