[發(fā)明專利]一種氣流床粉煤加氫氣化方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410809322.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104479752A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-04-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 汪國(guó)慶;馬志超;周三;方科學(xué);劉明;聶永廣;張正旺;景旭亮;鄭征;湯海奇;閆云東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 新奧科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號(hào): | C10J3/48 | 分類號(hào): | C10J3/48;C10J3/50;C10J3/72 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 065001 河北省廊坊市經(jīng)濟(jì)*** | 國(guó)省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氣流 粉煤 加氫 氣化 方法 | ||
1.一種氣流床粉煤加氫氣化方法,其特征在于,包括:
將粉煤與加熱后的原料氣混合后通過(guò)氣化爐噴嘴送入氣化爐中;
所述粉煤與加熱后的原料氣在所述氣化爐的反應(yīng)段混合并發(fā)生加氫氣化反應(yīng),生成半焦、合成氣以及氣態(tài)油;
待經(jīng)所述反應(yīng)段出口處的降溫裝置降溫后,所述合成氣以及氣態(tài)油經(jīng)除塵、換熱,獲得氣體產(chǎn)物和液態(tài)油品產(chǎn)物;所述半焦被排出所述氣化爐。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在將粉煤與加熱后的原料氣通過(guò)氣化爐噴嘴送入氣化爐之前,還包括:
在所述氣化爐外部對(duì)原料氣進(jìn)行一次加熱,產(chǎn)生一次加熱原料氣;和
在所述氣化爐噴嘴內(nèi)部通過(guò)貧氧燃燒的方式對(duì)所述一次加熱原料氣進(jìn)行二次加熱,產(chǎn)生加熱后的原料氣。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述在所述氣化爐外部對(duì)原料氣進(jìn)行一次加熱,產(chǎn)生一次加熱原料氣具體為:
在開(kāi)車階段,原料氣依次流經(jīng)半焦冷卻器和氣體換熱器,然后進(jìn)入氫氣加熱爐進(jìn)行加熱,產(chǎn)生所述一次加熱原料氣;或
在系統(tǒng)運(yùn)行階段,原料氣首先在所述半焦冷卻器內(nèi)與半焦進(jìn)行換熱,然后進(jìn)入所述氣體換熱器進(jìn)行換熱,產(chǎn)生所述一次加熱原料氣。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,在所述氣化爐噴嘴內(nèi)部對(duì)所述一次加熱原料氣進(jìn)行二次加熱,產(chǎn)生加熱后的原料氣具體為:
向所述氣化爐噴嘴內(nèi)通入氧氣,通過(guò)貧氧燃燒的方式對(duì)所述一次加熱原料氣進(jìn)行二次加熱,產(chǎn)生所述加熱后的原料氣。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述氧氣的添加量為所述加熱后的原料氣的2-10%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述加熱后的原料氣的溫度高于1000℃,所述加熱后的原料氣與粉煤混合后的溫度高于700℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述加熱后的原料氣與粉煤的加入量的質(zhì)量比為0.1-0.4。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述氣化爐的反應(yīng)壓力為3-12MPa,反應(yīng)溫度為700-1200℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述粉煤在所述氣化爐的反應(yīng)段中停留5-20秒。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,將所述半焦、合成氣以及氣態(tài)油降溫至700℃以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在將粉煤與加熱后的原料氣通過(guò)氣化爐噴嘴送入氣化爐之前,還包括在密相輸送單元中利用輸送氣體將粉煤輸送至所述氣化爐噴嘴。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于,所述輸送氣體為高壓氫氣。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述粉煤的粒徑為5-75μm,所述粉煤的含水量小于10%。
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