[發明專利]用于集成電路的布局設計的系統和方法有效
| 申請號: | 201410807998.6 | 申請日: | 2014-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN105304623B | 公開(公告)日: | 2018-08-31 |
| 發明(設計)人: | 江庭瑋;莊惠中;田麗鈞 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 集成電路 布局 設計 系統 方法 | ||
本發明提供了用于集成電路的布局設計的系統和方法。一種用于集成電路的布局設計的系統和方法以及一種集成電路。該方法包括將第一掩模圖案的所有導電線路沿第一方向布置,其中,第一掩模圖案的導電線路位于第一導電層中。該方法還包括將第二掩模圖案的所有導電線路沿第一方向布置,其中,第二掩模圖案的導電線路位于第一導電層中,并且第二掩模圖案在不同于第一方向的第二方向上偏離第一掩模圖案。
技術領域
本發明涉及用于集成電路的布局設計的系統和方法。
背景技術
集成電路(IC)通常設計具有有源器件,如通過導電線路(諸如金屬線和多晶硅線)連接的晶體管、電阻器和電容器,以形成電路。通過包括使用光刻膠、光刻掩模(掩模)、專用光源和各種蝕刻劑的光刻工藝形成IC中的有源器件。越來越密集的IC在速度、功能和成本方面具有多種益處,但是會導致越來越困難的設計和制造問題。
發明內容
為解決現有技術中存在的問題,根據本發明的一個方面,提供了一種用于集成電路的布局設計的方法,包括:
將第一掩模圖案的所有導電線路沿第一方向布置,其中,第一掩模圖案的導電線路位于第一導電層中;以及
將第二掩模圖案的所有導電線路沿第一方向布置,其中,第二掩模圖案的導電線路位于第一導電層中,并且第二掩模圖案沿不同于第一方向的第二方向偏離第一掩模圖案。
根據本發明的一個實施例,該方法還包括:
將第三掩模圖案的所有導電線路沿第三方向布置,其中,第三掩模圖案的導電線路位于第二導電層中,并且第三方向不同于第一方向。
根據本發明的一個實施例,布置第一掩模圖案的所有導電線路和布置第二掩模圖案的所有導電線路進一步在單元中形成傳輸柵極。
根據本發明的一個實施例,該布置進一步形成通過一個或多個導電線路電連接至第一NMOS器件的第一PMOS器件、和通過一個或多個導電線路電連接至第二NMOS器件的第二PMOS器件。
根據本發明的一個實施例,第一方向垂直于第二方向。
根據本發明的一個實施例,第一方向垂直于第三方向。
根據本發明的一個實施例,通孔將第一掩模圖案的導電線路中的至少一個導電線路電連接至第三掩模圖案的導電線路中的至少一個導電線路。
根據本發明的一個實施例,第一掩模圖案的導電線路的數量為偶數,第二掩模圖案的導電線路的數量為偶數,第一掩模圖案的導電線路連接至電源電壓,并且第二掩模圖案的導電線路連接至接地電壓。
根據本發明的一個實施例,第一掩模圖案的導電線路的數量為奇數,第二掩模圖案的導電線路的數量為偶數,第一掩模圖案的第一導電線路連接至電源電壓,并且第一掩模圖案的第二導電線路連接至接地電壓。
根據本發明的另一方面,提供了一種集成電路,包括:
第一組導電線路,沿第一方向位于第一導電層中,在不同于第一方向的方向上不具有第一組導電線路中的導電線路;以及
第二組導電線路,沿第一方向位于第一導電層中,在不同于第一方向的方向上不具有導電線路,其中,第一導電層僅含有第一組導電線路和第二組導電線路中的導電線路,并且第二組導電線路以小于第一組導電線路的節距的量偏離第一組導電線路。
根據本發明的一個實施例,還包括:
第三組導電線路,沿第二方向位于第二導電層中,在不同于第二方向的方向上不具有導電線路,其中,第二方向不同于第一方向。
根據本發明的一個實施例,通孔將第一組導電線路的至少一個導電線路電連接至第三組導電線路的至少一個導電線路。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





