[發明專利]全波整流器在審
| 申請號: | 201410807122.1 | 申請日: | 2014-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN104734544A | 公開(公告)日: | 2015-06-24 |
| 發明(設計)人: | A.毛德 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
| 主分類號: | H02M7/219 | 分類號: | H02M7/219 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠偉進;胡莉莉 |
| 地址: | 奧地利*** | 國省代碼: | 奧地利;AT |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 整流器 | ||
1.一種全波整流器,包括:
兩個輸入路徑,被配置為接收交流輸入電壓;
兩個輸出路徑,被配置為提供直流輸出電壓;
四個開關模式整流路徑,被連接在輸入路徑的每個和輸出路徑的每個之間,其中開關模式整流路徑被配置為在輸入電壓的第一半波期間把第一輸入路徑連接到第一輸出路徑并且把第二輸入路徑連接到第二輸出路徑,以及在輸入電壓的第二半波期間把所述第一輸入路徑連接到所述第二輸出路徑并且把所述第二輸入路徑連接到所述第一輸出路徑,并且其中開關模式整流路徑包括共源共柵電路。
2.根據權利要求1所述的全波整流器,其中,在第一組的兩個整流路徑中,每個整流路徑包括具有常閉晶體管和常開晶體管的共源共柵電路,所述常閉晶體管和常開晶體管具有相同的導電類型。
3.根據權利要求2所述的全波整流器,其中,在所述第一組的兩個整流路徑中,
所述常閉晶體管和常開晶體管為具有柵極、源極和漏極線的場效應晶體管;
所述共源共柵電路的每個包括共源極級和共柵極級的串聯連接;
所述常閉晶體管被配置為所述共源共柵電路的共源極級;以及
所述常開晶體管被配置為所述共源共柵電路的共柵極級。
4.根據權利要求3所述的全波整流器,其中,在所述第一組的兩個整流路徑中,
在所述第一組的兩個整流路徑中的所述常閉晶體管的源極線被連接到相同的輸出路徑;以及
在所述第一組的兩個整流路徑中的所述常閉晶體管的柵極線與相應的其它整流路徑中的所述常閉晶體管的漏極線耦接。
5.根據權利要求1所述的全波整流器,其中,在第二組的兩個整流路徑中,每個整流路徑包括具有常閉晶體管和常開晶體管的共源共柵電路,所述常閉晶體管和所述常開晶體管具有不同的導電類型。
6.根據權利要求5所述的全波整流器,其中,在所述第二組的兩個整流路徑中,
所述常閉晶體管和常開晶體管是具有柵極、源極和漏極線的場效應晶體管;
所述共源共柵電路的每個包括共漏極級和共柵極級的串聯連接;
所述常閉晶體管被配置為所述共源共柵電路的共漏極級;以及
所述常開晶體管被配置為所述共源共柵電路的共柵極級。
7.根據權利要求6所述的全波整流器,其中,在所述第二組的兩個整流路徑中,
所述兩個整流路徑中的一個中的所述常閉晶體管的漏極線和另一個整流路徑中的常開晶體管的漏極線被連接到相同的輸入路徑;以及
在一個整流路徑中的所述共源共柵電路的共漏極級中的所述常閉晶體管的柵極線與另一個整流路徑中的共柵極級中的所述常開晶體管的源極線耦接。
8.根據權利要求1所述的全波整流器,其中,在第三組的兩個整流路徑中,每個整流路徑包括常閉晶體管和兩個常開晶體管,所述常閉晶體管和兩個常開晶體管具有相同的導電類型。
9.根據權利要求8所述的全波整流器,其中,在所述第三組的兩個整流路徑中,
相同導電類型的所述常閉晶體管和常開晶體管是具有柵極、源極和漏極線的場效應晶體管;
所述共源共柵電路的每個包括共源極級和兩個共柵極級的串聯連接;
所述常閉晶體管被配置為所述共源共柵電路的共源極級;以及
所述常開晶體管被配置為所述共源共柵電路的共柵極級。
10.根據權利要求9所述的全波整流器,其中,在所述第三組的兩個整流路徑中,
在所述第三組的兩個整流路徑中的所述常閉晶體管的源極線被連接到相同的輸出路徑;以及
在所述第三組的兩個整流路徑中的所述常閉晶體管的柵極線與相應的其它整流路徑中的所述常閉晶體管的漏極線耦接。
11.根據權利要求1所述的全波整流器,其中,在第四組的兩個整流路徑中,每個整流路徑包括常閉晶體管和兩個常開晶體管,所述常閉晶體管與所述兩個常開晶體管相比具有不同的導電類型。
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