[發(fā)明專利]準單色光成像系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410806952.2 | 申請日: | 2014-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN104502375B | 公開(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 孫天希;孫學鵬;劉志國;須穎;董友 | 申請(專利權)人: | 北京師范大學;天津三英精密儀器有限公司 |
| 主分類號: | G01N23/04 | 分類號: | G01N23/04 |
| 代理公司: | 北京名華博信知識產(chǎn)權代理有限公司 11453 | 代理人: | 苗源;李冬梅 |
| 地址: | 100875 北京市海淀區(qū)新街*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 會聚器 焦斑 會聚透鏡 毛細管 成像系統(tǒng) 準單色光 放大器 單色器 微焦斑 探測器 出口 放大器設置 調節(jié)器 高效納米 降低設備 入口端處 共聚焦 入口端 出射 入射 成像 擋住 配置 | ||
1.一種準單色光成像系統(tǒng),其特征在于,包括:X射線光源(1)、準單色器(2)、毛細管X光會聚透鏡(3)、會聚器(6)、放大器(8)及探測器(9);其中:
所述X射線光源(1)為實驗室普通X射線光管,設置在所述毛細管X光會聚透鏡(3)的入口焦斑處;
所述準單色器(2)設置在所述X射線光源(1)與所述毛細管X光會聚透鏡(3)之間,近于所述毛細管X光會聚透鏡(3)入口端;
所述毛細管X光會聚透鏡(3)由多根單毛細管構成,沿垂直于其中心線方向的橫截面為正六邊形,沿其長度方向上的截面空間橢球曲面段;
所述毛細管X光會聚透鏡(3)的長度范圍為3~10厘米,入口端直徑范圍為1~30毫米,出口端直徑范圍為1~10毫米,入口焦距f1的范圍為1~20厘米,出口焦距f2的范圍為1~40毫米;
所述毛細管X光會聚透鏡(3)的出口焦斑處形成第一準單色微焦斑(4);
所述會聚器(6)的入口焦斑與所述毛細管X光會聚透鏡(3)的出口焦斑形成共聚焦結構,所述會聚器(6)的出口焦斑處形成第二準單色微焦斑(7);
所述會聚器(6)的出口焦斑處放置有樣品;所述會聚器(6)的入口端處配置有調節(jié)器(5),用于擋住入射至所述會聚器(6)的中間部分X射線;所述會聚器(6)的長度范圍為1~170毫米,入口焦距F的取值范圍為5~50毫米,出口焦距f的取值范圍為1~30毫米,入口端直徑D的取值范圍為2~20毫米,出口端直徑d的取值范圍為2~20毫米;
所述放大器(8)設置于所述樣品之后的光路上,用于會聚并放大所述樣品的成像信號;
所述探測器(9)設置在所述放大器(8)之后,用于探測并收集所述樣品的成像信號。
2.根據(jù)權利要求1所述的準單色光成像系統(tǒng),其特征在于:所述X射線光源(1)為X射線光管發(fā)射的X射線束,所述X射線光管的靶材為鉬、銀或鎢中的一種;和/或,所述X射線光源(1)的功率范圍為1~1000瓦。
3.根據(jù)權利要求2所述的準單色光成像系統(tǒng),其特征在于:所述毛細管X光會聚透鏡(3)中位于其中心位置的一根單毛細管所在的層數(shù)定義為第一層,從內向外第n層中單毛細管的數(shù)目為6(n-1),且n>1。
4.根據(jù)權利要求1所述的準單色光成像系統(tǒng),其特征在于,所述會聚器(6)為橢球形,在沿其中心對稱線方向上的截面為旋轉橢球面段,沿垂直于其中心線方向的截面為圓形。
5.根據(jù)權利要求4所述的準單色光成像系統(tǒng),其特征在于:所述準單色器(2)的制作材料為金屬材料;和/或,所述會聚器(6)的制作材料為鉛玻璃。
6.根據(jù)權利要求5所述的準單色光成像系統(tǒng),其特征在于,所述會聚器(6)的長度為30毫米,入口端直徑為10毫米,出口端直徑為12毫米,入口焦距為30毫米,出口焦距為9毫米。
7.根據(jù)權利要求1至6任一項所述的準單色光成像系統(tǒng),其特征在于,所述毛細管X光會聚透鏡(3)的長度L為65毫米,入口端的直徑Din為17毫米,出口端的直徑Dout為2毫米;其中,在17.4keV能量點,所述毛細管X光會聚透鏡(3)的入口焦距f1為73毫米,出口焦距f2為13毫米,焦斑直徑為25微米,功率密度放大倍數(shù)為8000。
8.根據(jù)權利要求7所述的準單色光成像系統(tǒng),其特征在于:所述放大器(8)為波帶片,所述波帶片的最外層透射X射線圓環(huán)的直徑與離開所述會聚器(6)出口焦斑的X射線束的中空環(huán)狀結構相匹配;波帶片最外層透射X射線圓環(huán)的寬度范圍1~200納米;和/或,所述探測器(9)為空間分辨探測器,空間分辨范圍為1~100微米,能量探測范圍為9~100keV。
9.根據(jù)權利要求8所述的準單色光成像系統(tǒng),其特征在于,還包括:分析終端,與所述探測器(9)連接,用于對所述樣品的成像信號進行納米成像分析。
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