[發(fā)明專利]用于除去氮化鈦硬掩模和蝕刻殘留物的組合物

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410806917.0
• 申請日: 2014-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN104730870B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: W·J·小卡斯特爾;稻岡誠二;M·B·勞;B·F·羅斯;李翊嘉;劉文達(dá);陳天牛
• 申請（專利權(quán)）人: 弗薩姆材料美國有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G03F7/42
• 分類號(hào): G03F7/42
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 吳亦華

1.用于從包含Cu、W、低k電介質(zhì)材料和其中x＝0至1.3和y＝0至2的TiNxOy的半導(dǎo)體器件選擇性除去其中x＝0至1.3和y＝0至2的TiNxOy的水性組合物，

所述組合物包含：

1-10wt％的陰離子，選自六氟硅酸根和六氟鈦酸根或其組合；

0.5-10wt％的銨鹽緩沖劑，其中所述銨鹽緩沖劑選自：氯化銨；硫酸氫銨；磷酸銨；草酸銨；全氟磺酸銨；四氟硼酸銨；六氟鈦酸銨；六氟硅酸銨；檸檬酸銨；乙酸銨；乳酸銨；及其組合；其中所述銨具有N(R¹R²R³R⁴)⁺的形式，并且R¹、R²、R³、R⁴各自獨(dú)立地選自H、CH₃、C₂H₅和C₃H₇；

至少兩種金屬離子，選自Fe(II)離子、Cu(I)離子、Cu(II)離子、Co(II)離子、Cr(II)離子、Mn(II)離子、和Ni(II)離子及其組合，其中所述至少兩種金屬離子各自在500ppm的范圍內(nèi)；和

水；

其中所述水性組合物(1)不包含不是空氣或空氣中的氧的任何氧化劑；(2)暴露于空氣；和(3)所述水性組合物具有小于7的pH。

2.權(quán)利要求1的水性組合物，其中x為1且y為0。

3.權(quán)利要求1的水性組合物，其中所述水性組合物的pH4。

4.權(quán)利要求1的水性組合物，其中所述水性組合物除水之外包含選自二醇、乳酸、乙酸、環(huán)丁砜類、二甲亞砜、烷基砜及其組合的溶劑。

5.權(quán)利要求4的水性組合物，其中所述二醇是丙二醇。

6.權(quán)利要求1的水性組合物，其中所述水性組合物還包含2000ppm的量的腐蝕抑制劑，其選自：苯并三唑；取代的苯并三唑；烷基胺；聚乙烯亞胺；聚乙烯亞胺與羧酸的組合，所述羧酸包括檸檬酸和丙二酸；咪唑；半胱氨酸；取代的半胱氨酸；胱氨酸；取代的胱氨酸；三唑；取代的三唑；亞氨基二乙酸；硫脲；苯并咪唑；香草醛；兒茶酚類；及其組合。

7.權(quán)利要求6的水性組合物，其中所述烷基胺包括己胺和辛胺。

8.權(quán)利要求1的水性組合物，其中所述水性組合物還包含4000ppm的量的二氟化物。

9.從微電子器件上選擇性除去其中x＝0至1.3和y＝0至2的TiNxOy的體系，所述體系包括：

包含Cu、W、低k電介質(zhì)材料和其中x＝0至1.3和y＝0至2的TiNxOy的半導(dǎo)體器件；

用于從所述半導(dǎo)體器件選擇性除去其中x＝0至1.3和y＝0至2的TiNxOy的權(quán)利要求1的水性組合物

和其中

所述其中x＝0至1.3和y＝0至2的TiNxOy與所述水性組合物直接接觸但是不與W直接接觸。

10.權(quán)利要求9的體系，其中x為1且y為0。

11.權(quán)利要求9的體系，其中所述水性組合物的pH4。

12.權(quán)利要求9的體系，其中所述水性組合物除水之外包含選自二醇、乳酸、乙酸、環(huán)丁砜類、二甲亞砜、烷基砜及其組合的溶劑。

13.權(quán)利要求12的體系，其中所述二醇是丙二醇。